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METHOD OF PRODUCING SILVER NANOWIRE commons

Patent code P150011556
File No. H24-16
Posted date Mar 23, 2015
Application number P2013-034361
Publication number P2014-162946A
Patent number P6118584
Date of filing Feb 25, 2013
Date of publication of application Sep 8, 2014
Date of registration Mar 31, 2017
Inventor
  • (In Japanese)バラチャンドラン ジャヤデワン
  • (In Japanese)クヤ ウアマン ジョン レマン
  • (In Japanese)兒玉 大輔
Applicant
  • (In Japanese)公立大学法人滋賀県立大学
  • (In Japanese)DOWAホールディングス株式会社
Title METHOD OF PRODUCING SILVER NANOWIRE commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the thickness of a silver nanowire obtained by the polyol method so as to achieve both high conductivity and good optical characteristics in a transparent conductive film using the silver nanowire as a conductor.
SOLUTION: In a method of producing a silver nanowire by adding a second solution containing a silver compound in a polyol as the solvent to a first solution containing an organic protective agent and a first halogen compound in the polyol as the solvent, a second halogen compound is added to the reaction mixture obtained by adding the second solution to the first solution.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

液晶・プラズマ・有機エレクトロルミネッセンス等の各種ディスプレイや各種太陽電池において、透明導電膜を用いた透明電極は必須の構成技術となっている。この透明導電膜の材料としては、ITOをはじめとする金属酸化物薄膜が主に用いられている。金属酸化物薄膜は、光透過性と導電性との両立が可能で耐久性にも優れており、特に、ITOは、光透過性と導電性とのバランスが良く、ウェットエッチングによる電極微細パターン形成が容易であることから、各種オプトエレクトロニクス用の透明電極として多用されている。

透明導電膜に使用される金属酸化物薄膜は、一般的に真空蒸着法やスパッタ法により製造されるが、薄膜は金属酸化物であることから、曲げに弱く、最終製品のフレキシブル化の障害になる場合がある。また、真空蒸着法やスパッタ法は真空環境を必要とするため、処理装置が大掛りかつ複雑なものとなることや、成膜に大量のエネルギーを消費する等の課題があり、これらの課題に対する改善技術の開発が要請されている。

このような要請に対して、透明導電膜の導電体として金属ナノワイヤを用いることが提案されている。金属ナノワイヤを導電体として用いる場合、金属ナノワイヤが接触し合うことによって導電ネットワークを形成し、導電性を発現する。そして、太さが300nm以下で、長さが3μm以上の金属ナノワイヤを用いた場合には、透明導電膜の導電性と透明性の両立が可能となる。金属ナノワイヤを構成する金属については、Ag、Cu、Au等が検討されているが、電気導電性や耐酸化性に優れ、かつ金属価格が著しく高くないことからAgが好ましいと考えられ、銀ナノワイヤに関する技術が盛んに開発されている。このような銀ナノワイヤの製造方法としては、例えば、特許文献1及び非特許文献1~3に開示されたものがある。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、透明導電膜の導電体として用いられる銀ナノワイヤの製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
ポリオールを溶媒として有機保護剤と第1のハロゲン化合物とを含有する第1の溶液に、ポリオールを溶媒として銀化合物を含有する第2の溶液を添加することにより製造される銀ナノワイヤの製造方法であって、
前記第1のハロゲン化合物と銀とのモル比(第1のハロゲン化合物/銀)が0~0.1(ただし、0である場合を除く)を満たし、
前記有機保護剤と銀とのモル比(有機保護剤/銀)が0.1~8.0を満たし、
前記第1の溶液に前記第2の溶液を添加して得られた反応液に第2のハロゲン化合物を添加し、該第2のハロゲン化合物と銀とのモル比(第2のハロゲン化合物/銀)が0.0005~0.1を満たすことを特徴とする銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項2】
 
前記第2の溶液の添加後、5分間以上経過した後に前記反応液に前記第2のハロゲン化合物を添加することを特徴とする請求項1に記載の銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項3】
 
前記第2の溶液の添加後、5分~240分間経過した後に前記反応液に前記第2のハロゲン化合物を添加することを特徴とする請求項2に記載の銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項4】
 
前記第2のハロゲン化合物は、臭素化合物であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項5】
 
前記臭素化合物は、臭化カリウム、臭化ナトリウム、臭化銅、臭化セチルトリメチルアンモニウムのいずれかであることを特徴とする請求項4に記載の銀ナノワイヤの製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2013034361thum.jpg
State of application right Registered


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