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SUBSTRATE FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR

Patent code P150011559
File No. H25-5
Posted date Mar 24, 2015
Application number P2013-176635
Publication number P2015-044706A
Patent number P6181474
Date of filing Aug 28, 2013
Date of publication of application Mar 12, 2015
Date of registration Jul 28, 2017
Inventor
  • (In Japanese)佐藤 一成
  • (In Japanese)山本 喜之
  • (In Japanese)柳沢 淳一
Applicant
  • (In Japanese)住友電気工業株式会社
  • (In Japanese)公立大学法人滋賀県立大学
Title SUBSTRATE FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for growing a nitride semiconductor having low manufacturing cost, capable of epitaxially growing a nitride semiconductor uniformly on the whole main surface.
SOLUTION: In a substrate for growing a nitride semiconductor including a ground substrate 1 and a nitride semiconductor layer 2 formed on the ground substrate 1, the nitride semiconductor layer 2 is formed by irradiating a silicon nitride film formed on the ground substrate 1 with an element as ion, and a value obtained by dividing a difference between the maximum value and the minimum value of the element concentration in the thickness direction by the maximum value is 40% or less, in the nitride semiconductor layer 2.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

3.4eVのエネルギーバンドギャップおよび高い熱伝導率を有する窒化ガリウム(GaN)基板などの窒化物基板は、短波長の光デバイスやパワー電子デバイスなどの半導体デバイス用の材料として注目されている。しかしながら、このような窒化物基板は高価である。

国際公開2006/104064号(特許文献1)には、窒化ガリウム(GaN)膜をシリコン(Si)基板、ガラス基板、またはガリウムヒ素(GaAs)基板上に形成するための窒化ガリウム成長用基板およびその製造方法が開示されている。具体的には、基板上に形成された窒化珪素(SiN)膜の表面に、4keVのエネルギーでGaイオンを照射することにより、SiN膜の表層部にGaN膜を形成することができることが記載されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、窒化物半導体をエピタキシャル成長するための窒化物半導体成長用基板に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上に窒化珪素膜を形成する工程と
前記窒化珪素膜に対して元素をイオンとして照射することにより前記下地基板上に窒化物半導体層を形成する工程とを備え、
前記窒化物半導体層において、厚み方向における前記元素の濃度の最大値と最小値との差を前記最大値で割った値が40%以下である、窒化物半導体成長用基板の製造方法

【請求項2】
 
前記元素は、ガリウム,インジウム,アルミニウムからなる群から選択される少なくとも1つである、請求項1に記載の窒化物半導体成長用基板の製造方法

【請求項3】
 
前記窒化物半導体層の組成は、Al1-x-yGaxInyN(x≧0,y≧0,0≦x+y≦1)で表わされる、請求項2に記載の窒化物半導体成長用基板の製造方法

【請求項4】
 
前記窒化物半導体層の膜厚は、10nm以下である、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の窒化物半導体成長用基板の製造方法
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2013176635thum.jpg
State of application right Registered


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