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PLASMA ETCHING APPARATUS

Patent code P150011817
File No. S2014-1331-N0
Posted date Mar 31, 2015
Application number P2014-180272
Publication number P2016-054257A
Patent number P6440298
Date of filing Sep 4, 2014
Date of publication of application Apr 14, 2016
Date of registration Nov 30, 2018
Inventor
  • (In Japanese)安部 隆
  • (In Japanese)山田 周史
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人新潟大学
Title PLASMA ETCHING APPARATUS
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma etching apparatus which eliminates the need for providing an external heater or embedded heater for heating an electrode with a material to be processed fixed to a high temperature, and which enables the plasma etching process on a hard-to-work material with a simple structure.
SOLUTION: A plasma etching apparatus for etching, by plasma discharge, a material to be processed, set in a chamber comprises: an electrode located in the chamber and supporting the material to be processed. Between the electrode and the material to be processed, a heat transfer suppression member is provided to prevent heat transfer from the material to be processed to the electrode. The electrode supports the material to be processed through the heat transfer suppression member.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

従来から、シリコンや酸化膜を被加工材としたプラズマエッチング装置が知られている。この種のプラズマエッチング装置としては、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、被加工材としての半導体ウェハ(半導体基板)に形成された所定の層に所定のパターンを形成するために、レジストをマスクとしてプラズマによりエッチングするものが広く用いられている。特許文献1には、この種のプラズマエッチング装置が開示されている。

特許文献1に開示のプラズマエッチング装置では、処理室内の電極上に被加工材としてのウェハが載置され、プラズマエッチング処理が行われる。

また、近年では、上述した半導体デバイスの分野のみならず、センサ・マイクロマシン分野においてもプラズマエッチングを利用することが期待されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、プラズマエッチング装置に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
チャンバー内に設置された被加工材をプラズマ放電によってエッチングするプラズマエッチング装置であって、
前記チャンバー内に位置し、前記被加工材を支持する電極を備え、
前記電極と前記被加工材との間には、前記被加工材から前記電極への伝熱を妨げる伝熱抑制部材が設けられ、前記電極は、前記伝熱抑制部材を介して前記被加工材を支持し、
前記伝熱抑制部材は、前記チャンバー内に位置し、前記被加工材が固定されるステージ部材であり、
前記ステージ部材は、前記電極との間の少なくとも一部に空隙が形成された状態で前記電極に支持されるように構成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。

【請求項2】
 
前記ステージ部材は、前記被加工材が固定される平板状のステージ部と、前記ステージ部を支持する支持部と、を備え、
前記ステージ部と前記電極との間に前記空隙が形成された状態で、前記支持部が前記電極に支持されることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマエッチング装置。

【請求項3】
 
前記支持部は、前記ステージ部の厚み方向において、前記ステージ部よりも前記電極側に向かって突出している脚部を備え、
前記ステージ部材は、前記脚部の先端部が前記電極と当接することにより、前記電極に支持されることを特徴とする、請求項2に記載のプラズマエッチング装置。

【請求項4】
 
前記支持部は、前記ステージ部の側面と一端部が連続し、前記ステージ部を前記厚み方向から見た場合に前記ステージ部の外縁から外方に向かって延在する梁部を更に備え、
前記脚部は、前記ステージ部を前記厚み方向から見た場合に前記ステージ部の外縁よりも外側に位置しており、前記梁部の他端部と連続していることを特徴とする、請求項3に記載のプラズマエッチング装置。

【請求項5】
 
前記脚部は、前記ステージ部の前記電極側の下面に前記電極側に向かって突設されていることを特徴とする、請求項3に記載のプラズマエッチング装置。

【請求項6】
 
チャンバー内に設置された被加工材をプラズマ放電によってエッチングするプラズマエッチング装置であって、
前記チャンバー内に位置し、前記被加工材を支持する電極を備え、
前記電極と前記被加工材との間には、前記被加工材から前記電極への伝熱を妨げる伝熱抑制部材が設けられ、前記電極は、前記伝熱抑制部材を介して前記被加工材を支持しており、
前記チャンバー内に位置し、前記被加工材が固定されるステージ部材を備え、
前記伝熱抑制部材は、断熱材で構成された断熱部材であり、
前記電極は、前記断熱部材を介して前記ステージ部材を支持することを特徴とするプラズマエッチング装置。

【請求項7】
 
前記ステージ部材は、アルミ、ステンレス又は銅で形成されていることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1つに記載のプラズマエッチング装置。

【請求項8】
 
前記電極を第1電極とした場合に、前記チャンバー内で前記第1電極と対向して配置された第2電極と、
前記第1電極に高周波電圧を印加する電源と、
前記第1電極を冷却可能な冷却器と、を更に備えることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか1つに記載のプラズマエッチング装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2014180272thum.jpg
State of application right Registered
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