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BiS2-BASED SUPERCONDUCTOR meetings

Patent code P150012105
Posted date Jun 26, 2015
Application number P2013-128379
Publication number P2014-031307A
Patent number P6210587
Date of filing Jun 19, 2013
Date of publication of application Feb 20, 2014
Date of registration Sep 22, 2017
Priority data
  • P2012-156182 (Jul 12, 2012) JP
Inventor
  • (In Japanese)水口 佳一
  • (In Japanese)三浦 大介
  • (In Japanese)藤久 裕司
  • (In Japanese)後藤 義人
  • (In Japanese)高野 義彦
  • (In Japanese)出村 郷志
Applicant
  • (In Japanese)公立大学法人首都大学東京
  • (In Japanese)国立研究開発法人産業技術総合研究所
  • (In Japanese)国立研究開発法人物質・材料研究機構
Title BiS2-BASED SUPERCONDUCTOR meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a BiS2-based superconductor which does not contain any toxic elements and is mainly composed of elements relatively abundant on the earth.
SOLUTION: The BiS2-based superconductor is a compound which uses a bismuth-based compound having no toxicity and in which a bismuth compound layer and a spacer layer are formed. Specifically, the BiS2-based superconductor includes a BiS2-based layer mainly composed of bismuth (Bi) and sulfur (S) and the spacer layer which is adjacent to the BiS2-based layer and is capable of controlling carriers in the BiS2-based layer.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

1911年、オランダのオンネスらにより超伝導現象が発見されて以来、様々な種類の超伝導物質系が発見されてきた。現状、実用化が容易な金属系超伝導、及び超伝導転移温度が非常に高い高温超伝導系の実用化が進められている。高い超伝導転移温度を持つ物質系として銅酸化物系が挙げられ、さらに2008年に第二の高温超伝導系である鉄系超伝導系が発見された。どちらも層状の結晶構造を有し、超伝導状態を発現する特有の超伝導層が存在している。例えば、銅酸化物系の場合はCuO2層、鉄系の場合はFe2An2層(ただし、AnはP、As、S、Se、Te)である。

従来、例えば、FeAs面を有する鉄系超伝導体において、FeAs面のFeを部分的に他の元素に置換するとともに原子空孔を導入してコドーピングした鉄系超伝導体が知られている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1に記載の鉄系超伝導体によれば、FeAs面のFeを部分的に他の元素に置換しただけの鉄系超伝導体と比較して、超伝導転移温度を向上させることができる。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、BiS2系超伝導体に関する。特に、本発明は、ビスマス(Bi)及び硫黄(S)を主成分としたBiS2系超伝導層を有する層状のBiS2系超伝導体に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
ビスマス(Bi)と硫黄(S)とを主成分とするBiS2系層と、前記BiS2系層に隣接し、前記BiS2系層のキャリア制御が可能なスペーサー層とを備え、
記(a)又は(b)で表されるBiS2系超伝導体。
(a)組成が一般式ReO1-xFxBiS2で表され、
前記Reが、Ndであり、前記xが、0.1≦x≦0.7を満たすか、
前記Reが、Laであり、前記xが、0.5≦x≦0.7を満たすか、
又は前記Reが、Ceであり、前記xが、0.3を満たし、
且つ空間群がP4/nmmである正方晶の層状構造を有するものである。
(b)組成がBi6O4S4(SO4xで表され、xが0.4≦x≦0.8を満たし、空間群がI4/mmmである正方晶の層状構造を有するものである。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2013128379thum.jpg
State of application right Registered
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