水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ
| 国内特許コード | P150012193 |
|---|---|
| 整理番号 | 2015-025 |
| 掲載日 | 2015年8月20日 |
| 出願番号 | 特願2015-138068 |
| 公開番号 | 特開2017-022240 |
| 出願日 | 平成27年7月9日(2015.7.9) |
| 公開日 | 平成29年1月26日(2017.1.26) |
| 発明者 |
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| 出願人 |
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| 発明の名称 |
水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ
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| 発明の概要 |
【課題】高い表面キャリア密度を有する水素終端表面からなるダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタを提供をする。 【解決手段】水素終端ダイヤモンドの表面伝導層からなるチャネルに、強誘電体からなるゲート絶縁膜を組み合せる。また、強誘電体は、水素終端ダイヤモンド表面に３００℃以下の低温で薄膜形成され、フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとの共重合体薄膜である。 【選択図】図１ |
| 従来技術、競合技術の概要 |
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| 産業上の利用分野 |
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| 特許請求の範囲 |
【請求項1】 水素終端ダイヤモンドの表面伝導層からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。 【請求項2】 前記強誘電体は前記水素終端ダイヤモンド表面に３００℃以下の低温で薄膜形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の電界効果トランジスタ。 【請求項3】 前記水素終端ダイヤモンドの表面伝導層上にソース及びドレイン電極を形成し、 前記ソース電極とドレイン電極との間であって前記水素終端ダイヤモンドの表面伝導層上に強誘電体の薄膜を積層し、 前記強誘電体の薄膜にゲート電極を形成したことを特徴とする請求項１又は２記載の電界効果トランジスタ。 【請求項4】 前記強誘電体はフッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとの共重合体薄膜であることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の電界効果トランジスタ。 |
| 国際特許分類(IPC) |
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| Fターム | |
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画像
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| 出願権利状態 | 公開 |
英語項目の表示
| 発明の名称 |
FIELD EFFECT TRANSISTOR USING HYDROGEN-TERMINATED DIAMOND
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|---|---|
| 発明の概要 |
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field effect transistor using a diamond composed of a hydrogen-terminated surface having high surface carrier density. SOLUTION: A gate insulator film composed of a ferroelectric material is combined with a channel composed of a surface conduction layer of hydrogen-terminated diamond. The ferroelectric material is formed into a thin film on a surface of the hydrogen-terminated diamond at a low temperature of less than or equal to 300°C and is a copolymer thin film of vinylidene fluoride and trifluoroethylene. |
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なお、既に活用のお申し込み・お打合わせ等の段階に入っている場合もございますので、予めご承知おきください。
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