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FIELD EFFECT TRANSISTOR USING HYDROGEN-TERMINATED DIAMOND meetings

Patent code P150012193
File No. 2015-025
Posted date Aug 20, 2015
Application number P2015-138068
Publication number P2017-022240A
Patent number P6534036
Date of filing Jul 9, 2015
Date of publication of application Jan 26, 2017
Date of registration Jun 7, 2019
Inventor
  • (In Japanese)川江 健
  • (In Japanese)徳田 規夫
  • (In Japanese)古市 浩幹
  • (In Japanese)柄谷 涼太
  • (In Japanese)中嶋 宇史
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人金沢大学
Title FIELD EFFECT TRANSISTOR USING HYDROGEN-TERMINATED DIAMOND meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field effect transistor using a diamond composed of a hydrogen-terminated surface having high surface carrier density.
SOLUTION: A gate insulator film composed of a ferroelectric material is combined with a channel composed of a surface conduction layer of hydrogen-terminated diamond. The ferroelectric material is formed into a thin film on a surface of the hydrogen-terminated diamond at a low temperature of less than or equal to 300°C and is a copolymer thin film of vinylidene fluoride and trifluoroethylene.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

本出願人は、先に二硫化モリブデンをチャネルとし、ゲートに有機強誘電体を用いた電界効果トランジスタを提案している(非特許文献1)。
これに対して本発明は、水素終端ダイヤモンドの表面伝導層をチャネルとした電界効果トランジスタである。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、表面が水素終端となっているダイヤモンドの表面伝導層をチャネルとした電界効果トランジスタに関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
水素終端ダイヤモンドの表面伝導層上にソース及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極とドレイン電極との間であって前記水素終端ダイヤモンドの表面伝導層上に強誘電体の薄膜を積層してあり、
前記強誘電体の薄膜にゲート電極を形成してあり、
前記強誘電体はフッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとの共重合体薄膜であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2015138068thum.jpg
State of application right Registered
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