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FIELD EFFECT TRANSISTOR

Patent code P150012196
File No. 2014-081
Posted date Aug 20, 2015
Application number P2015-093772
Publication number P2016-213280A
Date of filing May 1, 2015
Date of publication of application Dec 15, 2016
Inventor
  • (In Japanese)川江 健
  • (In Japanese)広瀬 宗一郎
  • (In Japanese)小林 拓平
  • (In Japanese)中嶋 宇史
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人金沢大学
Title FIELD EFFECT TRANSISTOR
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field effect transistor having excellent carrier control characteristics.
SOLUTION: In a transistor 10, an electrode 12 of Pt is formed on a substrate 11 of silicon, or the like, a 75/25 mol% of VDF/TrFE (vinylidene fluoride-ethylene trifluoride copolymer) is applied thereon by spin coating, and then dried at 120°C thus forming a thin film of ferroelectric 13 of 150 nm thick. MoS2 (molybdenum disulfide) is sliced as a two-dimensional material 14, and transferred onto the ferroelectric 13 by using a tape. Thereafter, a drain electrode 15 and a source electrode 16, partially composed of Au, are formed by photolithography.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

二次元物質は層状構造を有し、薄膜化が容易なことから半導体素子として検討がなされている。
例えば、非特許文献1にMoS2(二硫化モリブデン)をチャネルとしたFET構造が開示されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は電界効果トランジスタに関し、特に二次元物質と強誘電体との組み合せからなるトランジスタに係る。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
二次元物質からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

【請求項2】
 
前記二次元物質はカルコゲン化合物半導体であることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ。

【請求項3】
 
前記強誘電体は有機系の薄膜又は無機系の薄膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の電界効果トランジスタ。

【請求項4】
 
基板の上に電極を介してゲートとなる強誘電体薄膜を積層し、
前記強誘電体薄膜の上に二次元物質薄膜をチャネルとして積層し、
前記二次元物質薄膜にドレイン及びソース電極を形成したことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2015093772thum.jpg
State of application right Published
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