ダイヤモンドの製造方法
| 国内特許コード | P150012198 |
|---|---|
| 整理番号 | 2014-063 |
| 掲載日 | 2015年8月20日 |
| 出願番号 | 特願2015-102143 |
| 公開番号 | 特開2016-216298 |
| 登録番号 | 特許第6561402号 |
| 出願日 | 平成27年5月19日(2015.5.19) |
| 公開日 | 平成28年12月22日(2016.12.22) |
| 登録日 | 令和元年8月2日(2019.8.2) |
| 発明者 |
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| 出願人 |
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| 発明の名称 | ダイヤモンドの製造方法 |
| 発明の概要 |
【課題】Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｏ等を基材に用いたヘテロエピタキシャル成長法による効率的なダイヤモンドの製造方法の提供。 【解決手段】Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｏのうちいずれかの基材に炭素を固溶させるステップと、前記炭素が固溶された基材の表面にダイヤモンド層をエピタキシャル成長させるステップと、を有するダイヤモンドの製造方法。これらの基材に対する炭素の固溶限界濃度は温度依存性が高く、基材の表面にダイヤモンド層を形成させた後に常温等まで冷却すると、炭素の基材への固容限界濃度は温度依存性が高いので、基材中に固溶していた炭素は基材表面、即ち、ダイヤモンド層と基材との間に層状構造からなるグラファイト層として析出し、この柔らかいグラファイト層が緩衝膜となり、ダイヤモンド層にひずみが発生しにくく、また、この部分で容易に剥離が生じるため、自立型のダイヤモンドが容易に得られる。 【選択図】図１ |
| 従来技術、競合技術の概要 |
ダイヤモンドの（１１１）結晶面等の格子定数と、例えばニッケルの（１１１）結晶面等の格子定数との差が小さく、ニッケルを基材にしたダイヤモンド膜のヘテロエピキシャル成長膜の報告が、例えば非特許文献１に報告されている。 |
| 産業上の利用分野 |
本発明は、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）を用いたダイヤモンドの製造方法に関し、特にニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），コバルト（Ｃｏ）等の炭素を固溶する基材を用いたヘテロエピタキシャル成長法によるダイヤモンドの製造方法に係る。 |
| 特許請求の範囲 |
【請求項1】 ニッケル基材の表面にＣＶＤ装置を用いて水素ガスをキャリアーにし、炭化水素を炭素供給源として、炭素の固溶層及びダイヤモンド核を形成するステップと、 次にＣＶＤ装置を用いて水素ガスをキャリアーにし、炭化水素を炭素供給源として、ダイヤモンド層をエピタキシャル成長させるステップと、次に冷却し、前記ニッケル基材とダイヤモンド層との間にグラファイト層を析出させるステップとを有することを特徴とするダイヤモンドの製造方法。 |
| 国際特許分類(IPC) |
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| Fターム |
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画像
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| 出願権利状態 | 登録 |
英語項目の表示
| 発明の名称 | PRODUCTION METHOD OF DIAMOND |
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| 発明の概要 |
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an efficient production method of a diamond by a heteroepitaxial growth method using Ni, Cu, Co or the like for a base material. SOLUTION: The production method of the diamond includes: a step for making carbon solid-solution on any of Ni, Cu or Co; and a step for making a diamond layer epitaxial growth on the surface of the substrate on which solid-solution on the carbon is performed. When the diamond layer is cooled to a room temperature after forming it on the surface of the base material, as a solid-solution limit density of the carbon for such base material has high temperature dependency, the carbon on which solid-solution is performed in the substrate is precipitated as a graphite layer comprising a layer structure on the base material surface, that is, between the diamond layer and the base material. This soft graphite layer becomes a buffer film, distortion is hard to occur in the diamond layer, and exfoliation easily occurs in this part, and thereby, self-supporting diamond is easily obtained. |
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ご興味のある方は、下記「問合せ先」へ整理番号と共にご連絡願います。
なお、既に活用のお申し込み・お打合わせ等の段階に入っている場合もございますので、予めご承知おきください。
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