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CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Patent code P150012512
File No. S2015-0539-N0
Posted date Nov 2, 2015
Application number P2015-045380
Publication number P2016-164957A
Patent number P6494337
Date of filing Mar 8, 2015
Date of publication of application Sep 8, 2016
Date of registration Mar 15, 2019
Inventor
  • (In Japanese)星野 勝義
  • (In Japanese)大久保 有貴
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人千葉大学
Title CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a cobalt nanostructure that achieves higher energy and higher output, and to provide a capacitor using the cobalt nanostructure.
SOLUTION: In a method of manufacturing a cobalt nanostructure according to one aspect of the present invention, a pair of electrodes is immersed into an electrolytic solution containing a cobalt complex, and the electrolytic solution is subjected to electrolysis within a temperature range higher than 40°C and less than 80°C in a magnet field so that a cobalt nanostructure is precipitated on one of the pair of electrodes. In the method, the magnetic field is preferably a static magnetic field within a range of 1 mT or more and 10 T or less, but is not limited thereto.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

近年、環境問題に対する取り組みが重要となってきており、より環境への負担が軽く、かつ効率のよい電源が求められてきている。この要望に寄与すると期待される一つの技術として、電気化学キャパシタがある。電気化学キャパシタとは、電気化学的な作用を用いて電荷を蓄積、出力するためのデバイスであり、代表的なものとして電気二重層キャパシタ、更には、最近新たに提案されてきているものとしてレドックスキャパシタがある。

ここで電気二重層キャパシタとは、一対の電極とこの一対の電極の間に配置される電解液とを有し、電解液と電極の界面において生じるイオンの吸着(非ファラデー反応)により形成される電気二重層を利用して電荷を蓄積することのできるキャパシタであり、非常に大きな比表面積を有する炭素材料等を電極として用いることで大容量化が可能であり、大きく期待されている。

一方、レドックスキャパシタとは、活物質の複数の連続的なレドックス(酸化還元)反応により発現する疑似容量を利用して電荷を蓄積することのできるキャパシタであり、上記の電気二重層キャパシタよりも大容量で、かつ、電池よりも瞬時充放電特性に優れているといった利点があり、より大きく期待されている。

上記に関連するキャパシタの公知技術としては、例えば下記特許文献1に記載の技術がある。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、キャパシタ及びその製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
コバルト錯体を含む電解液に一対の電極を浸漬し、磁場中において50℃以上70℃以下の温度範囲内で前記電解液を電気分解して一対の電極の一方にコバルトナノ構造物を析出させるコバルトナノ構造物の製造方法。

【請求項2】
 
前記磁場は静磁場であって、1mT以上10T以下の範囲内にある請求項1記載のコバルトナノ構造物の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2015045380thum.jpg
State of application right Registered
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