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(In Japanese)伝送線路及び配線基板、並びに、これらを用いた高周波装置 commons meetings

Patent code P160012702
File No. (H23-101)
Posted date Jan 20, 2016
Application number P2014-508238
Patent number P6080020
Date of filing Mar 29, 2013
Date of registration Jan 27, 2017
International application number JP2013059755
International publication number WO2013147268
Date of international filing Mar 29, 2013
Date of international publication Oct 3, 2013
Priority data
  • P2012-083350 (Mar 31, 2012) JP
Inventor
  • (In Japanese)中山 英俊
  • (In Japanese)佐藤 敏郎
  • (In Japanese)曽根原 誠
  • (In Japanese)吉原 拓実
Applicant
  • (In Japanese)独立行政法人国立高等専門学校機構
Title (In Japanese)伝送線路及び配線基板、並びに、これらを用いた高周波装置 commons meetings
Abstract (In Japanese)
【課題】
 表皮深さに起因する挿入損失を抑止することができる伝送線路を提供する。また、この性質を利用した付加価値のある伝送線路を提供する。
【解決手段】
 伝送線路は、正の透磁率を有する導体層Aと、負の透磁率を有する導体層Bとにより構成されている。層Aと層Bの厚さは、隣り合う層の磁束が減殺(相殺)されるように厚さを設定される。磁束密度は中心位置からの距離により分布があり、中心ほど小さく、外側ほど大きいため、層の厚さを中心ほど厚く、外側ほど薄くすることにより、磁束の相殺効果を高めることができる。配線基板は、基板と基板の表面上に設けられた伝送線路とを備え、当該伝送線路は上述の伝送線路により構成される。高周波装置は、伝送線路を備え、当該伝送線路は上述の伝送線路により構成される。
【選択図】
 図1
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

電磁波を伝送する伝送線路としては、金属の鋼管である導波管、あるいは、誘電体である配線基板上に設けられたストリップ線路や表面波線路等が開発されている(例えば、特許文献1参照)。これらの伝送線路は、通信や放送などの送受信機(例えば、航空路監視レーダ)等に用いられており、一般的に導体のみで形成されている。

このような伝送線路では、電磁波の周波数が高くなればなるほど、電流は導体表面に集中し、その電流が流れる表皮深さδ(δ=√(1/πfμσ)、f:周波数、μ:透磁率、σ:導電率)は小さくなる。これは、高周波において実質的に伝送線路の抵抗が増加すること、さらに、伝送線路を太くすることによる抵抗の低減が直流や低周波の場合のように効果的でなくなることを意味する。

このような表皮深さの減少による伝送線路の抵抗の増加を抑制するため、負の透磁率材料を用いた伝送線路構造が提案されている(例えば、特許文献2および非特許文献1参照)。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、伝送線路及び配線基板、並びに、これらを用いた高周波装置に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
特定の周波数帯域において正の透磁率(μP)を有し第1の厚さ(tP)を備えた第1の層(P)と、前記特定の周波数帯域において負の透磁率(μN)を有し第2の厚さ(tN)を備えた第2の層(N)とを具備し、
前記第1の層(P)と前記第2の層(N)が線路断面の内側より外側に向けて交互に配置され、
隣り合う前記第1の層(P)と前記第2の層(N)のうち、前記内側に配置された一方の層(P又はN)における前記透磁率の絶対値(|μP|又は|μN|)と厚さ(tP又はtN)との積が、前記外側に配置された他方の層(N又はP)における前記透磁率(|μN|又は|μP|)と厚さ(tN又はtP)との積より大きい
ことを特徴とする伝送線路。

【請求項2】
 
前記第1の層(P)と前記第2の層(N)の積層構造を有することを特徴とする請求項1に記載の伝送線路。

【請求項3】
 
前記第1の層(P)と、前記第2の層(N)とのどちらか少なくとも一方の層、或いは両方の層が、中心に近い層ほど厚く、外周に近い層ほど薄くなるように構成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の伝送線路。

【請求項4】
 
前記第1の層(P)と前記第2の層(N)のうちの導電率の高い方の層が前記線路断面の中心部に配置されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の伝送線路。

【請求項5】
 
前記第1の層(P)と前記第2の層(N)のうちの前記特定の周波数帯域における前記透磁率の絶対値(|μP|と|μN|)の大きい方の層が前記線路断面の中心部に配置されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の伝送線路。

【請求項6】
 
隣り合う前記第1の層(P)と前記第2の層(N)の前記厚さ(tP、tN)は、前記第1の層(P)に発生する磁束と前記第2の層(N)に発生する磁束とが相互に打ち消し合う値とされることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の伝送線路。

【請求項7】
 
前記線路断面が円形又は楕円形であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の伝送線路。

【請求項8】
 
前記線路断面において前記第1の層(P)および前記第2の層(N)が円形又は楕円形の断面形状を有するとともにこれらの断面形状が相互に同心状に形成されることを特徴とする請求項7に記載の伝送線路。

【請求項9】
 
前記線路断面が正方形又は長方形であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の伝送線路。

【請求項10】
 
前記線路断面において前記第1の層(P)および前記第2の層(N)が正方形又は長方形の断面形状を有するとともにこれらの断面形状の中心が前記線路断面の中心と一致することを特徴とする請求項9に記載の伝送線路。

【請求項11】
 
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の伝送線路が基板上に形成されることを特徴とする配線基板。

【請求項12】
 
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の伝送線路が含まれることを特徴とする高周波装置。

【請求項13】
 
特定の周波数帯域において正の透磁率(μP)と所定の抵抗率(ρP)又は導電率(σP)を有し第1の厚さ(tP)を備えた第1の層(P)と、前記特定の周波数帯域において負の透磁率(μN)と所定の抵抗率(ρN)又は導電率(σN)を有し第2の厚さ(tN)を備えた第2の層(N)とを具備し、
前記第1の層(P)と前記第2の層(N)が線路断面の内側より外側に向けて交互に配置されて所定の積層数(L)と線路外径(rline)を備えた積層構造を有し、
前記特定の周波数帯域内の周波数(f)の電界(E)が存在する場合における伝送線路内で生ずる誘導起電力eの全線路断面(Cs)にわたる積分値(D)は、前記積層数(L)と前記線路外径(rline)を備えるとともに各層の透磁率の絶対値と厚さの積が一定である場合の前記周波数(f)における前記誘導起電力(e)の全線路断面(Cs)にわたる積分値(Ds)よりも小さい
ことを特徴とする伝送線路。

【請求項14】
 
請求項13に記載の伝送線路が基板上に形成されることを特徴とする配線基板。

【請求項15】
 
請求項13に記載の伝送線路が含まれることを特徴とする高周波装置。
IPC(International Patent Classification)
Drawing

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JP2014508238thum.jpg
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