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CUPPER-CNT THREE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURE AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME commons

Patent code P160012862
File No. N15018
Posted date Mar 17, 2016
Application number P2015-211630
Publication number P2017-082286A
Date of filing Oct 28, 2015
Date of publication of application May 18, 2017
Inventor
  • (In Japanese)新井 進
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人信州大学
Title CUPPER-CNT THREE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURE AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cupper-CNT three-dimensional nanostructure with which thickness of a structure (plating film) can be made thick while making a thin-plate shaped deposition composed of cupper hold a randomly crossing shape.
SOLUTION: CNTs are taken in a cupper three-dimensional nanostructure formed with a shape of randomly crossing thin-plate shaped depositions composed of cupper, in which the CNTs are disposed in arrangements linking the depositions one another. The thin-plate shaped deposition composed of cupper is firmly held by disposing the CNTs as arrangements extending between the depositions or going through the thin-plate shaped depositions, and the structure of the cupper three-dimensional nanostructure is held more certainly.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

本発明者は、電解めっき法を利用して、めっき金属からなる薄い板状の析出物が基材上にランダムに交錯した形態に形成される構造体(三次元ナノ構造体)を作製する方法を提案した(特許文献1)。電解銅めっき法によって形成した三次元ナノ構造体が、銅-三次元ナノ構造体である。
この構造体は、基材上に薄い板状体が複雑に交錯した形態に形成されたもので、構造体の内部に複雑な空隙が形成されることにより、きわめて比表面積が大きな構造体として形成され、この特徴的な構成からリチウムイオン電池の負極や電気二重層キャパシタ等への応用が考えられている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、銅-CNT三次元ナノ構造体及びその製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
銅からなる薄板状の析出物がランダムに交錯する形態に形成された銅三次元ナノ構造体にCNTが取り込まれ、
前記CNTが前記析出物を相互に連結する配置に設けられていることを特徴とする銅-CNTナノ構造体。

【請求項2】
 
前記CNTは、前記析出物の間を掛け渡す配置、あるいは薄板状の析出物を貫く配置として設けられていることを特徴とする請求項1記載の銅-CNTナノ構造体。

【請求項3】
 
前記CNTは、単層カーボンナノチューブあるいは二層カーボンナノチューブあるいは多層カーボンナノチューブであることを特徴とする請求項1または2記載の銅-CNT三次元ナノ構造体。

【請求項4】
 
銅からなる薄板状の析出物がランダムに交錯する形態に形成された銅三次元ナノ構造体にCNTが取り込まれ、前記CNTが前記析出物を相互に連結する配置に設けられた銅-CNT三次元ナノ構造体の製造方法であって、
ポリアクリル酸を添加剤とし、CNTを添加して分散させた銅めっき浴を使用し、
電解銅めっき法により、基材上に銅-CNT三次元ナノ構造体を形成することを特徴とする銅-CNT三次元ナノ構造体の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2015211630thum.jpg
State of application right Published
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