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METHOD FOR PRODUCING GRAFTED POLYMERIC BASE MATERIAL commons meetings

Patent code P160012943
File No. FU611
Posted date Apr 19, 2016
Application number P2014-257596
Publication number P2016-117814A
Patent number P6470031
Date of filing Dec 19, 2014
Date of publication of application Jun 30, 2016
Date of registration Jan 25, 2019
Inventor
  • (In Japanese)宮▲崎▼ 孝司
  • (In Japanese)堀 照夫
  • (In Japanese)能藤 紘史
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人福井大学
Title METHOD FOR PRODUCING GRAFTED POLYMERIC BASE MATERIAL commons meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a grafted polymeric base material, in which graft polymerization can be performed efficiently even of a polymeric base material with low polymer radical generation efficiency.
SOLUTION: A producing method of the present invention comprises: a sealing step of setting a packaging bag in a sealed state where it is stuck to a polymeric base material by evacuating and sealing an inside of the packaging bag after storing the polymeric base material in the packaging bag made of a polymer film having a predetermined thickness; an irradiating step of irradiating the polymeric base material that is set in a sealed state where the packaging bag is stuck to the polymeric base material with radioactive rays; an injection step of, after unsealing the packaging bag and injecting a predetermined amount of a radical polymerizable compound solution including water thereinto, setting the packaging bag in the sealed state where the packaging bag is filled with a radical polymerizable compound solution by evacuating and sealing the inside of the packaging bag; and a post-polymerization step of subjecting the polymeric base material that is set in the sealed state where the packaging bag is filled with the radical polymerizable compound solution to graft polymerization at a predetermined temperature for a predetermined time.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

従来より、電子線照射法により高分子基材にラジカル重合性化合物をグラフト重合する放射線グラフト化高分子基材の製造方法が実用化されている。例えば、ラジカル重合性化合物溶液を付与した高分子基材を高分子フィルムの間に密着し、その高分子フィルム上から電子線を照射し、その後加熱重合を行う方法が知られている(特許文献1参照)。また、高分子基材に電子線を照射した後、ラジカル重合性化合物溶液を付与し、ラジカル重合性化合物溶液が付与された高分子基材の両面をフィルムで密着し、0℃から130℃の範囲の温度条件で後重合を促進する方法が知られている(特許文献2参照)。

こうした従来の製造方法によれば、開放系のグラフト重合と異なり、高分子基材及びラジカル重合性化合物がフィルムシールにより空気中の酸素と遮断されており、空気雰囲気においても加熱処理することで後重合が容易に進行する。これは、高分子基材及びラジカル重合性化合物が空気中の酸素と遮断されるため、空気中の酸素によるラジカルの失活が起こり難くなるとともに、ラジカル重合性化合物の揮散が抑えられるからである。この後重合によって、高分子基材のフィラメント表層に生成したグラフト層に未反応のラジカル重合性化合物が拡散浸透し、ラジカル重合性化合物が高分子基材内部に存在するポリマーラジカルと反応することで、グラフト層が高分子基材内部へ進行してグラフト層の厚みが増加する。これにより、比較的高いグラフト率のグラフト化高分子を容易に製造することができる、という効果が期待できる。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、繊維状、シート状、バルク状といった様々な形態の高分子基材に、親水性、疎水性、吸放湿性、静電防止性、接着性、物質吸着性、温度応答性等の機能を付与した耐久性を有するグラフト化高分子基材の製造方法に関し、特に、γ線や電子線などの放射線照射により活性種(ポリマーラジカル)が生成しにくい高分子基材に、ラジカル重合性化合物を効率よくグラフト重合するグラフト化高分子基材の製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
高分子フィルムからなる包装袋内に高分子基材を収容した後内部を減圧して封止することで包装袋を高分子基材に密着した密封状態に設定する密封工程と、包装袋内に密封状態に設定された高分子基材に対して放射線を照射する照射工程と、包装袋を開封して水を含むラジカル重合性化合物溶液を所定量注入した後内部を減圧して封止することでラジカル重合性化合物溶液を充填した密封状態に設定する注入工程と、ラジカル重合性化合物溶液を充填した密封状態に設定された高分子基材を所定の温度で所定時間グラフト重合を行う後重合工程とを備えているグラフト化高分子基材の製造方法。

【請求項2】
 
高分子フィルムからなる包装袋内に高分子基材及びラジカル重合性化合物溶液を収容した後内部を減圧して封止することで高分子基材をラジカル重合性化合物溶液で充填した密封状態に設定する密封工程と、ラジカル重合性化合物溶液に充填された密封状態に設定された高分子基材に対して放射線を照射する照射工程と、ラジカル重合性化合物溶液を充填した密封状態に設定された高分子基材を所定の温度で所定時間グラフト重合を行う後重合工程とを備えているグラフト化高分子基材の製造方法。

【請求項3】
 
前記高分子基材は、高分子の主鎖に芳香環構造を有するG値が1未満の素材からなる請求項1又は2に記載のグラフト化高分子基材の製造方法。

【請求項4】
 
前記包装袋に用いる高分子フィルムは、ポリオレフィン樹脂フィルム、ポリエステル樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、または、これらの樹脂フィルムのいずれかを内面側に積層したラミネートフィルムである請求項1から3のいずれかに記載のグラフト化高分子基材の製造方法。

【請求項5】
 
前記密封工程及び前記注入工程において、大気圧をゼロとしたゲージ圧で-10kPa以下の減圧状態に設定する請求項1から4のいずれかに記載のグラフト化高分子基材の製造方法。

【請求項6】
 
前記ラジカル重合性化合物溶液は、ラジカル重合性化合物の濃度が1重量%~70重量%である請求項1から5のいずれかに記載のグラフト化高分子基材の製造方法。

【請求項7】
 
前記ラジカル重合性化合物溶液は、非イオン性または陰イオン性界面活性剤を0.01~5.0重量%を含み、ラジカル重合性化合物と界面活性剤の重量比[ラジカル重合性化合物濃度(重量%)/界面活性剤濃度(重量%)]が4~2000である請求項1から6のいずれかに記載のグラフト化高分子基材の製造方法。

【請求項8】
 
前記高分子基材は、繊維状、シート状またはバルク状の形態を有しており、前記包装袋内に重ね合せて収容される請求項1から7のいずれかに記載のグラフト化高分子基材の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
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