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(In Japanese)半導体発光素子及びその製造方法 achieved foreign

Patent code P160013281
File No. H22-013
Posted date Sep 8, 2016
Application number P2010-540380
Patent number P5464446
Date of filing Nov 26, 2009
Date of registration Jan 31, 2014
International application number JP2009006406
International publication number WO2010061617
Date of international filing Nov 26, 2009
Date of international publication Jun 3, 2010
Priority data
  • P2008-303814 (Nov 28, 2008) JP
Inventor
  • (In Japanese)只友 一行
  • (In Japanese)岡田 成仁
  • (In Japanese)渡部 嘉
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人山口大学
Title (In Japanese)半導体発光素子及びその製造方法 achieved foreign
Abstract (In Japanese)半導体発光素子10は、GaNの結晶成長が可能な表面を有する基板11と、基板11の表面を覆うように設けられ基板11の表面が部分的に露出する開口12aが形成されていると共にGaNの結晶成長が不能な表面を有するマスク層12と、マスク層12及びマスク層12の開口12aから露出した基板11の表面を覆うように設けられたGaN層13とを備える。マスク層12の屈折率がSiO2の屈折率よりも大きく且つGaN層13の屈折率よりも小さい。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

発光ダイオード(LED)や半導体レーザ(LD)などの半導体発光素子として、基板上にGaN等の半導体層が設けられた構造を有するものが量産化されている。

非特許文献1には、サファイア基板上にSiO2で形成されたマスク層を設け、そのマスク層にサファイア基板が露出するようにストライプ状に溝を形成し、溝から露出したサファイア基板を起点としてGaNを結晶成長させることにより転位欠陥を低くすることができ、また、それによって発光出力パワー(外部量子効率)を高めることができる、と記載されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は半導体発光素子及びその製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
GaNの結晶成長が可能な表面を有するサファイア基板と、
上記サファイア基板の表面を覆うように設けられ該サファイア基板の表面が部分的に露出する開口が形成されていると共にGaNの結晶成長が不能な表面を有するマスク層と、
上記マスク層及び該マスク層の開口から露出した上記サファイア基板の表面を覆うように設けられたGaN層と、
を備え、
上記マスク層は、酸化窒化ケイ素で形成されていると共に、その屈折率がSiO2の屈折率よりも大きく且つ上記GaN層の屈折率よりも小さく、そして、その屈折率が厚さ方向の上記GaN層側から上記サファイア基板側に向かって漸次小さく又は大きくなるように変化している半導体発光素子。

【請求項2】
 
請求項1に記載された半導体発光素子において、
上記マスク層の屈折率が1.45よりも大きく且つ2.54よりも小さい半導体発光素子。

【請求項3】
 
GaNの結晶成長が可能な表面を有するサファイア基板と、
上記サファイア基板の表面を覆うように設けられ該サファイア基板の表面が部分的に露出する開口が形成されていると共にGaNの結晶成長が不能な表面を有するマスク層と、
上記マスク層及び該マスク層の開口から露出した上記サファイア基板の表面を覆うように設けられたGaN層と、
を備えた半導体発光素子の製造方法であって、
マスク層を、酸化窒化ケイ素で形成すると共に、その屈折率がSiO2の屈折率よりも大きく且つGaN層の屈折率よりも小さくなり、そして、その屈折率が厚さ方向の上記GaN層側から上記サファイア基板側に向かって漸次小さく又は大きくなるように変化するようCVD法により成膜して形成する半導体発光素子の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2010540380thum.jpg
State of application right Registered
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