Top > Search of Japanese Patents > TREATMENT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM

TREATMENT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM meetings

Patent code P160013343
File No. S2015-0629-N0
Posted date Oct 5, 2016
Application number P2015-035121
Publication number P2016-155088A
Patent number P6532033
Date of filing Feb 25, 2015
Date of publication of application Sep 1, 2016
Date of registration May 31, 2019
Priority data
  • P2015-031822 (Feb 20, 2015) JP
Inventor
  • (In Japanese)越田 信義
  • (In Japanese)白樫 淳一
  • (In Japanese)須田 隆太郎
  • (In Japanese)八木 麻実子
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人東京農工大学
Title TREATMENT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treatment device including a nano-crystalline silicon layer and a method for manufacturing a thin film.
SOLUTION: A treatment device comprises an electron source that includes a nano-crystalline silicon layer emitting ballistic electrons, a stage on which a treatment object irradiated with the ballistic electrons is mounted, and a position control part that controls a relative position between the electron source and the stage so that a ballistic electron emitting surface of the electron source and a treatment surface of the treatment object face to each other and are in non-contact with each other. A method for manufacturing a thin film includes the steps of: mounting a treatment object on a stage; applying an electrolyte containing substance ions onto the treatment object; controlling a relative position between an electron source including a nano-crystalline silicon layer and a stage so that the electron source and the stage face to each other and are in non-contact with each other; emitting ballistic electrons from an emitting surface of the electron source; reducing the substance ions by the ballistic electrons to form a film of the reduced substance on the treatment object.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

従来、ナノ結晶シリコン層が形成された電子源を備える成膜装置に関し、電子源からの弾道電子の強力な還元力を利用して還元物質を成膜する成膜装置が知られている。従来の成膜装置では、電子源が物質塩溶液中に配置され、電子源における弾道電子の放出面上に還元物質が成膜されていた(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1 特許第5649007号公報
特許文献2 特開2003-332265号公報
特許文献3 特開2007-288011号公報

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、処理装置及び薄膜の製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
弾道電子を放出するナノ結晶シリコン層を備える電子源と、
前記弾道電子が照射される処理対象を載置するステージと、
前記電子源における前記弾道電子の放出面と前記処理対象の処理面とが対向し、且つ、前記放出面と前記処理面とが非接触となるように前記電子源と前記ステージとの相対位置を制御する位置制御部と
を備え
前記電子源は、前記放出面に形成された放出電極を更に備え、
前記放出電極は、第1の厚さを有する放出領域と、前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する非放出領域とを有し、
前記弾道電子は、前記放出領域から放出される処理装置。

【請求項2】
 
前記放出電極は、前記放出面以外の領域が露出している請求項1に記載の処理装置。

【請求項3】
 
前記電子源及び前記ステージを収容する収容部を更に備え、
前記位置制御部は、前記収容部内の気圧に応じて前記放出面と前記処理面との間隔を制御する請求項1又は2に記載の処理装置。

【請求項4】
 
前記位置制御部は、前記収容部内が大気圧である場合に、前記放出面と前記処理面との間隔を500nm以下に制御する請求項3に記載の処理装置。

【請求項5】
 
前記位置制御部は、前記電子源の位置を、前記ステージに対して相対的に走査する請求項1から4のいずれか一項に記載の処理装置。

【請求項6】
 
前記電子源と前記処理面との最短距離は、前記放出面と前記処理面との距離である請求項1から5のいずれか一項に記載の処理装置。

【請求項7】
 
前記電子源は、前記弾道電子を照射することで、前記処理対象のpHを制御する請求項1から6のいずれか一項に記載の処理装置。

【請求項8】
 
前記電子源は、前記弾道電子を照射することで、前記処理対象の表面を改質する請求項1から7のいずれか一項に記載の処理装置。

【請求項9】
 
弾道電子を放出するナノ結晶シリコン層を備える電子源と、
前記弾道電子が照射される処理対象を載置するステージと、
前記電子源における前記弾道電子の放出面と前記処理対象の処理面とが対向し、且つ、前記放出面と前記処理面とが非接触となるように前記電子源と前記ステージとの相対位置を制御する位置制御部と、
物質イオンを含む電解質を前記処理面上に塗布するディスペンサ、スピンナーまたは印刷システムのいずれかとを備え、
前記位置制御部は、前記放出面が前記電解質の表面と対向し、且つ、前記放出面と前記電解質とが非接触となるように前記電子源と前記ステージとの相対位置を制御し、
前記電子源は、前記物質イオンを還元して前記処理面上に還元物質を成膜する処理装置。

【請求項10】
 
弾道電子を放出するナノ結晶シリコン層を備える電子源と、
前記弾道電子が照射される処理対象を載置するステージと、
前記電子源における前記弾道電子の放出面と前記処理対象の処理面とが対向し、且つ、前記放出面と前記処理面とが非接触となるように前記電子源と前記ステージとの相対位置を制御する位置制御部と、
前記電子源及び前記ステージを収容する収容部と、
前記処理対象の電位を制御する電位制御部とを備え、
前記位置制御部は、前記収容部内の気圧に応じて前記放出面と前記処理面との間隔を制御し、
前記電位制御部は、前記収容部内の気圧に応じて前記処理対象の電位を制御する処理装置。

【請求項11】
 
ステージ上に処理対象を載置する工程と、
前記処理対象上に、物質イオンを含む電解質を塗布する工程と、
ナノ結晶シリコン層を有する電子源と前記電解質とが対向し、且つ、前記電子源と前記電解質とが非接触となるように前記電子源と前記ステージとの相対位置を制御する工程と、
前記電子源の放出面から弾道電子を放出する工程と、
前記弾道電子により前記物質イオンを還元して、前記処理対象上に還元物質を成膜する工程と
を備える薄膜の製造方法。

【請求項12】
 
前記電子源と前記ステージとの相対位置を制御する工程は、
前記電子源及び前記ステージを収容する収容部内の気圧に応じて、前記放出面と前記処理対象との間隔を制御する請求項11に記載の薄膜の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2015035121thum.jpg
State of application right Registered
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close