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CARRIER DOPING METHOD AND CONDUCTOR meetings

Patent code P170013658
File No. 14076
Posted date Jan 25, 2017
Application number P2015-095554
Publication number P2016-210726A
Patent number P6469516
Date of filing May 8, 2015
Date of publication of application Dec 15, 2016
Date of registration Jan 25, 2019
Inventor
  • (In Japanese)西原 禎文
  • (In Japanese)市橋 克哉
  • (In Japanese)井上 克也
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人広島大学
Title CARRIER DOPING METHOD AND CONDUCTOR meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a carrier doping method and a conductor, with which conductivity of a metal complex can be improved.
SOLUTION: In a carrier doping method, a lithium ion in an ion-conductive crystal is exchanged by a metal ion by immersing the ion-conductive crystal formed by ion bonding of a crown ether including the lithium ion and a dithiolate metal complex to each other in a solution in which the metal ion having oxidation-reduction property other than lithium is dissolved, so that the ion-conductive crystal is doped with electrons or holes, being carriers.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

近年、キャリアドーピング(電子・正孔の注入)による有機物伝導体や分子性伝導体(金属と同程度の高い伝導性を示す分子性結晶)の開発が試みられている。

例えば、有機結晶などに中性の金属原子を注入することでキャリアドープを行い金属化した事案などが報告されている。

より具体的には、ピセンに対してカリウムをドープ、あるいはフラーレンに対してルビジウムやセシウムなどのアルカリ金属をドープすることにより、超伝導相が発現することが知られている(例えば、非特許文献1,2参照)。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、クラウンエーテルを用いたキャリアドーピング方法および導電体に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
リチウムイオンを包接したクラウンエーテルとジチオレート金属錯体とがイオン結合することにより形成されたイオン伝導性結晶を、前記リチウムイオン以外の酸化還元性を有する金属イオンが溶解した溶液に浸漬させることにより、前記イオン伝導性結晶における前記リチウムイオンを前記金属イオンと交換し、前記イオン伝導性結晶にキャリアである電子または正孔をドープし、
前記クラウンエーテルが15-crown-5であるとともに、前記イオン伝導性結晶が下記式(1)で表されることを特徴とするキャリアドーピング方法。
【化1】
 
(省略)
(式中、dmitは、1,3-ジチオール-2-チオン-4,5-ジチオレートを示し、MはNi、Pd、Au及びPtのいずれかの金属を示す。)

【請求項2】
 
前記Mが、Niであることを特徴とする請求項1に記載のキャリアドーピング方法。

【請求項3】
 
前記溶液中の前記金属イオンの濃度が0.01~1Mであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のキャリアドーピング方法。

【請求項4】
 
前記溶液の温度が20~40℃であることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のキャリアドーピング方法。

【請求項5】
 
前記浸漬させる時間が2時間以上であることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか1項に記載のキャリアドーピング方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered


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