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(In Japanese)シート集積型希土類錯体及びその用途

Patent code P170013842
File No. (S2013-1137-N0)
Posted date Mar 16, 2017
Application number P2015-525292
Patent number P6382811
Date of filing Jul 4, 2014
Date of registration Aug 10, 2018
International application number JP2014067909
International publication number WO2015002295
Date of international filing Jul 4, 2014
Date of international publication Jan 8, 2015
Priority data
  • P2013-141995 (Jul 5, 2013) JP
Inventor
  • (In Japanese)長谷川 靖哉
  • (In Japanese)立野 栞
  • (In Japanese)中西 貴之
  • (In Japanese)伏見 公志
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人北海道大学
Title (In Japanese)シート集積型希土類錯体及びその用途
Abstract (In Japanese)有機溶媒や樹脂との相溶性を有し、かつ発光体として優れた発光特性を有する新たな構造の希土類錯体及びその用途を提供する。
希土類錯体は、下記一般式(1)で示されるホスフィンオキシド化合物、
Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから成る群から選ばれる1種又は2種以上の希土類イオン、及び配位化合物を含む。
希土類錯体は、希土類イオンに対する一般式(1)で示されるホスフィンオキシド化合物及び配位化合物の配位数が、8~10配位であり、複数の一般式(1)で示されるホスフィンオキシド化合物及び複数の希土類イオンが架橋構造を有する。
(式省略)
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

希土類錯体は、蛍光またはリン光を発する材料として、エレクトロルミネッセンスや白色LED照明の分野、あるいは発光性インキの分野、さらには発光性プラスチックの分野などで利用されつつある。何れの分野においても、希土類錯体は、有機溶媒や樹脂との相溶性を有することが望まれている。

有機溶媒や樹脂との相溶性を有する希土類錯体としては、例えば、特許文献1及び2、非特許文献1に記載の例がある。特許文献1に記載の錯体は、鎖状テトラホスフィンテトラオキシドであり、特許文献2に記載の錯体は、複数のホスフィンオキシド多座配位子及び希土類イオンが架橋構造を形成した錯体である。

特許文献1:日本特開2010-95514号公報
特許文献2:WO2012/150712

非特許文献1:K.Miyama,Y.Hasegawa et al, ChemPlusChem,2012,77,277-280
特許文献1、2及び非特許文献1の全記載は、ここに特に開示として援用される。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、シート集積型希土類錯体及びその用途に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
下記一般式(1)で示されるホスフィンオキシド化合物
【化1】
 
(省略)
[一般式(1)中、Xは、原子の結合子を含む構造式を平面視したときに3回対称性を有する原子、又は化学構造式を平面視したときに3回対称性を有する原子団を表し、
前記原子団は、1又は複数の置換基を有していてもよい1のアリール基又は1又は複数の置換基を有していてもよい1のヘテロアリール基であり、
Ar1~Ar9はそれぞれ独立して1又は複数の置換基を有していてもよいアリール基を表し、
Ar4とAr5、Ar6とAr7、Ar8とAr9がそれぞれ結合することによりリン原子を含むヘテロ環を形成していてもよい。]、
Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから成る群から選ばれる1種又は2種以上の希土類イオン、及び
配位化合物を含み、
希土類イオンに対する一般式(1)で示されるホスフィンオキシド化合物及び配位化合物の配位数が、8~10配位であり、
複数の一般式(1)で示されるホスフィンオキシド化合物及び複数の希土類イオンが架橋構造を有する希土類錯体。

【請求項2】
 
前記原子団は、1のアリール基又は1のヘテロアリール基である、請求項1に記載の錯体。

【請求項3】
 
Ar1~Ar9は、独立に、1又は複数の置換基を有していてもよいフェニル基である、請求項1又は2に記載の錯体。

【請求項4】
 
配位化合物が多座配位化合物である、請求項1~3のいずれかに記載の錯体。

【請求項5】
 
多座配位化合物がジケト化合物である、請求項4に記載の錯体。

【請求項6】
 
ジケト化合物が一般式(2)で示される化合物である、請求項5に記載の錯体。
【化2】
 
(省略)
一般式(2)中、Aは、独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基又はハロゲン原子を示し、Zは水素原子又は重水素原子を示す。

【請求項7】
 
ジケト化合物が、アセチルアセトン(acac)、2,2,6,6-テトラメチルヘプタン-3,5-ジオン(TMHD)、1,1,1-トリフルオロアセチルアセトン(TFA)、及び1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロアセチルアセトン(HFA)から成る群から選ばれる少なくとも1種の化合物である、請求項5に記載の錯体。

【請求項8】
 
一般式(1)で示されるホスフィンオキシド化合物が、下記(1-1)及び(1-3)から成る群から選ばれる少なくとも1種の化合物である請求項1~7のいずれかに記載の錯体。
【化3】
 
(省略)

【請求項9】
 
下記一般式(1-2)、(1-4)又は(1-5)で示されるホスフィンオキシド化合物、
Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから成る群から選ばれる1種又は2種以上の希土類イオン、及び
配位化合物を含み、
希土類イオンに対する一般式(1-2)、(1-4)又は(1-5)で示されるホスフィンオキシド化合物及び配位化合物の配位数が、8~10配位であり、
複数の一般式(1-2)、(1-4)又は(1-5)で示されるホスフィンオキシド化合物及び複数の希土類イオンが架橋構造を有する希土類錯体。
【化4】
 
(省略)

【請求項10】
 
架橋構造を有する複数の希土類錯体がシート集積構造を有する、請求項1~9のいずれかに記載の錯体。

【請求項11】
 
吸収スペクトルにインターリガンド・チャージ・トランスファー(ILCT)バンドを有する、請求項1~10のいずれかに記載の錯体。

【請求項12】
 
トリボルミネッセンスを示す、請求項1~11のいずれかに記載の錯体。

【請求項13】
 
請求項1~12のいずれか1項に記載の錯体を発光材料として用いた発光素子。

【請求項14】
 
請求項1~12のいずれか1項に記載の錯体を含有する、発光性インキ組成物。

【請求項15】
 
請求項1~12のいずれか1項に記載の錯体を含有する、発光性プラスチック組成物。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2015525292thum.jpg
State of application right Registered
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