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MgB2バルク体の製造方法およびMgB2バルク体 新技術説明会

国内特許コード P170014184
整理番号 170022JP01
掲載日 2017年6月9日
出願番号 特願2017-097383
公開番号 特開2018-193271
出願日 平成29年5月16日(2017.5.16)
公開日 平成30年12月6日(2018.12.6)
発明者
  • 山本 明保
  • 佐野川 悠
出願人
  • 国立大学法人東京農工大学
発明の名称 MgB2バルク体の製造方法およびMgB2バルク体 新技術説明会
発明の概要 【課題】充填率が高く、かつMgBの純度が高いMgBバルク体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るMgBバルク体の製造方法は、元素としてのホウ素を含む原料粉末からホウ素バルク体を成型する成型工程(ステップS1)と、気体のマグネシウムと、前記ホウ素バルク体と、を反応させる反応工程(ステップS3)と、を含む。
【選択図】図6
従来技術、競合技術の概要

MgB(二ホウ化マグネシウム)超伝導体は、39Kという非常に高い臨界温度(T)を持つことから、液体ヘリウム冷却不要の高温度(10K~20K)での応用に期待が高まっている。また、超伝導バルク磁石は、電磁石と比較して、より磁場が高く、小型化が可能である。

例えば特許文献1には、ホウ素元素含有粉末と、マグネシウム元素含有粉末とが混合されてなる原料粉末を、任意のバルク形状に成型した後、熱処理を行って、MgB超伝導バルク磁石を製造することが記載されている。

産業上の利用分野

本発明は、MgBバルク体の製造方法およびMgBバルク体に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
元素としてのホウ素を含む原料粉末からホウ素バルク体を成型する成型工程と、
気体のマグネシウムと、前記ホウ素バルク体と、を反応させる反応工程と、
を含む、MgBバルク体の製造方法。

【請求項2】
請求項1において、
前記原料粉末は、ホウ素粉末であり、
前記ホウ素バルク体のかさ密度は、0.9g/cm以上1.23g/cm以下である、MgBバルク体の製造方法。

【請求項3】
請求項1または2において、
前記原料粉末は、ホウ素粉末であり、
前記ホウ素バルク体のかさ密度は、1.0g/cm以上1.23g/cm以下である、MgBバルク体の製造方法。

【請求項4】
請求項1において、
前記原料粉末の主成分は、ホウ素粉末であり、
前記ホウ素バルク体のかさ密度は、0.9g/cm以上1.23g/cm以下である、MgBバルク体の製造方法。

【請求項5】
請求項1または4において、
前記原料粉末の主成分は、ホウ素粉末であり、
前記ホウ素バルク体のかさ密度は、1.0g/cm以上1.23g/cm以下である、MgBバルク体の製造方法。

【請求項6】
請求項1において、
前記原料粉末は、ホウ素粉末およびホウ化マグネシウム粉末を含む、MgBバルク体の製造方法。

【請求項7】
請求項1ないし6のいずれか1項において、
前記気体のマグネシウムは、固体または液体のマグネシウムを気化させたものであり、
前記原料粉末中のホウ素に対する前記固体または液体のマグネシウムの組成比は、0.5より大きい、MgBバルク体の製造方法。

【請求項8】
請求項1ないし7のいずれか1項において、
前記反応工程は、500℃以上950℃以下の温度で行われる、MgBバルク体の製造方法。

【請求項9】
超伝導体であって、充填率が70%以上であり、MgBの純度が95at%以上である、MgBバルク体。

【請求項10】
請求項9において、
充填率が75%以上である、MgBバルク体。

【請求項11】
請求項9または10において、
MgBの純度が97.5at%以上である、MgBバルク体。

【請求項12】
請求項9ないし11のいずれか1項において、
mm以上のオーダーである、MgBバルク体。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 公開
※ 国立大学法人東京農工大学では、先端産学連携研究推進センターにおいて、知的財産の創出・権利化・活用に取り組んでいます。上記の特許・技術の内容および導入に興味・関心がありましたら、当センターまでお気軽にお問い合わせください。


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