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METHOD FOR PRODUCING MgB2 BULK BODY AND MgB2 BULK BODY meetings

Patent code P170014184
File No. 170022JP01
Posted date Jun 9, 2017
Application number P2017-097383
Publication number P2018-193271A
Date of filing May 16, 2017
Date of publication of application Dec 6, 2018
Inventor
  • (In Japanese)山本 明保
  • (In Japanese)佐野川 悠
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人東京農工大学
Title METHOD FOR PRODUCING MgB2 BULK BODY AND MgB2 BULK BODY meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing an MgB2 bulk body with a high packing ratio and a high purity of MgB2.
SOLUTION: A method for producing an MgB2 bulk body according to the present invention comprises: a molding step (step S1) where a boron bulk body is molded from a raw material powder containing a boron element; and a reaction step (step S3) where a magnesium gas is reacted with the boron bulk body.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

MgB2(二ホウ化マグネシウム)超伝導体は、39Kという非常に高い臨界温度(Tc)を持つことから、液体ヘリウム冷却不要の高温度(10K~20K)での応用に期待が高まっている。また、超伝導バルク磁石は、電磁石と比較して、より磁場が高く、小型化が可能である。

例えば特許文献1には、ホウ素元素含有粉末と、マグネシウム元素含有粉末とが混合されてなる原料粉末を、任意のバルク形状に成型した後、熱処理を行って、MgB2超伝導バルク磁石を製造することが記載されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、MgB2バルク体の製造方法およびMgB2バルク体に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
元素としてのホウ素を含む原料粉末からホウ素バルク体を成型する成型工程と、
気体のマグネシウムと、前記ホウ素バルク体と、を反応させる反応工程と、
を含む、MgB2バルク体の製造方法。

【請求項2】
 
請求項1において、
前記原料粉末は、ホウ素粉末であり、
前記ホウ素バルク体のかさ密度は、0.9g/cm3以上1.23g/cm3以下である、MgB2バルク体の製造方法。

【請求項3】
 
請求項1または2において、
前記原料粉末は、ホウ素粉末であり、
前記ホウ素バルク体のかさ密度は、1.0g/cm3以上1.23g/cm3以下である、MgB2バルク体の製造方法。

【請求項4】
 
請求項1において、
前記原料粉末の主成分は、ホウ素粉末であり、
前記ホウ素バルク体のかさ密度は、0.9g/cm3以上1.23g/cm3以下である、MgB2バルク体の製造方法。

【請求項5】
 
請求項1または4において、
前記原料粉末の主成分は、ホウ素粉末であり、
前記ホウ素バルク体のかさ密度は、1.0g/cm3以上1.23g/cm3以下である、MgB2バルク体の製造方法。

【請求項6】
 
請求項1において、
前記原料粉末は、ホウ素粉末およびホウ化マグネシウム粉末を含む、MgB2バルク体の製造方法。

【請求項7】
 
請求項1ないし6のいずれか1項において、
前記気体のマグネシウムは、固体または液体のマグネシウムを気化させたものであり、
前記原料粉末中のホウ素に対する前記固体または液体のマグネシウムの組成比は、0.5より大きい、MgB2バルク体の製造方法。

【請求項8】
 
請求項1ないし7のいずれか1項において、
前記反応工程は、500℃以上950℃以下の温度で行われる、MgB2バルク体の製造方法。

【請求項9】
 
超伝導体であって、充填率が70%以上であり、MgB2の純度が95at%以上である、MgB2バルク体。

【請求項10】
 
請求項9において、
充填率が75%以上である、MgB2バルク体。

【請求項11】
 
請求項9または10において、
MgB2の純度が97.5at%以上である、MgB2バルク体。

【請求項12】
 
請求項9ないし11のいずれか1項において、
mm以上のオーダーである、MgB2バルク体。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2017097383thum.jpg
State of application right Published
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