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SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER

Patent code P170014213
File No. S2014-0880-N0
Posted date Jun 14, 2017
Application number P2014-097751
Publication number P2015-214448A
Patent number P6253150
Date of filing May 9, 2014
Date of publication of application Dec 3, 2015
Date of registration Dec 8, 2017
Inventor
  • (In Japanese)後藤 健
  • (In Japanese)纐纈 明伯
  • (In Japanese)熊谷 義直
  • (In Japanese)村上 尚
Applicant
  • (In Japanese)株式会社タムラ製作所
  • (In Japanese)国立大学法人東京農工大学
Title SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a semiconductor substrate consisting of a β-Ga2O3 single crystal and capable of growing an epitaxial layer consisting of the β-Ga2O3 single crystal at a high growth rate by the HVPE method; an epitaxial wafer having the semiconductor substrate and the epitaxial layer; and a method for manufacturing the epitaxial wafer.
SOLUTION: A semiconductor substrate 11 used as a base substrate for epitaxial crystal growth by the HVPE method consists of a β-Ga2O3 based single crystal. A surface parallel to a [010] axis of the β-Ga2O3 based single crystal is used as a principal surface.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

従来、β-Ga2O3系基板上に、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法によるエピタキシャル結晶成長によりβ-Ga2O3単結晶膜を形成する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。

特許文献1によれば、β-Ga2O3系基板の主面の面方位を所定の面方位とすることにより、MBE法により、β-Ga2O3単結晶膜を高い成長レートで成長させることができる。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、エピタキシャルウエハ及びその製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
HVPE法によるエピタキシャル結晶成長用の下地基板として用いられる半導体基板であって、β-Ga2O3系単結晶からなり、β-Ga2O3系単結晶の[010]軸に平行な面を主面とする半導体基板と、
前記半導体基板の前記主面上の5×1016(atoms/cm3)以下のClを含むβ-Ga2O3系単結晶からなるエピタキシャル層と、
を有するエピタキシャルウエハ。

【請求項2】
 
前記主面が、β-Ga2O3系単結晶の[010]軸を回転軸として(100)面から(101)面へ向かう方向に38°以上90°以下の範囲内の角度で回転させた面である、
請求項1に記載のエピタキシャルウエハ。

【請求項3】
 
前記角度が、68±10°である、
請求項2に記載のエピタキシャルウエハ。

【請求項4】
 
前記角度が、38±1°、53.8±1°、68±1°、76.3±1°、77.3±
1°、83±1°、又は90±1°である、
請求項2に記載のエピタキシャルウエハ。

【請求項5】
 
β-Ga2O3系単結晶からなり、β-Ga2O3系単結晶の[010]軸に平行な面を主面とする半導体基板上に、β-Ga2O3系単結晶からなるエピタキシャル層をHVPE法によるエピタキシャル結晶成長により形成する工程を含む、
エピタキシャルウエハの製造方法。

【請求項6】
 
前記エピタキシャル層の成長レートが1.2μm/h以上である、
請求項5に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。

【請求項7】
 
前記半導体基板の前記主面が、β-Ga2O3系単結晶の[010]軸を回転軸として(100)面から(101)面へ向かう方向に38°以上90°以下の範囲内の角度で回転させた面である、
請求項5又は6に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。

【請求項8】
 
前記角度が、68±10°である、
請求項7に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。

【請求項9】
 
前記角度が、38±1°、53.8±1°、68±1°、76.3±1°、77.3±1°、83±1°、又は90±1°である、
請求項7に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2014097751thum.jpg
State of application right Registered
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