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Q SWITCH SOLID STATE LASER DEVICE

Patent code P170014217
File No. S2016-0057-N0
Posted date Jun 14, 2017
Application number P2015-207278
Publication number P2017-079283A
Date of filing Oct 21, 2015
Date of publication of application Apr 27, 2017
Inventor
  • (In Japanese)井上 光輝
  • (In Japanese)高木 宏幸
  • (In Japanese)後藤 太一
  • (In Japanese)平等 拓範
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人豊橋技術科学大学
  • (In Japanese)大学共同利用機関法人自然科学研究機構
Title Q SWITCH SOLID STATE LASER DEVICE
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To down-size a laser device using a solid state laser material and an active Q switch.
SOLUTION: In a laser device using a solid state laser material and a Q switch, there is a technique that allows for active control of a Q switch by using the electro-optic effect or magnetooptic effect, but the laser device becomes large. The laser device can be downsized by a Q switch using the magnetooptic effect. A pulse laser having a narrow time width and a high peak strength can be obtained. The current value for changing the Q value can be reduced by using a permanent magnet and a coil in combination.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

第1共振ミラーと固体レーザー材料とQスイッチと第2共振ミラーを、その順序で配置したレーザー装置が知られている。すなわち、第1共振ミラーと第2共振ミラーで構成される一対の共振ミラーの間に、固体レーザー材料とQスイッチを配置したレーザー装置が知られている。

非特許文献1には、一対の共振ミラーの間に固体レーザー材料とQスイッチを配置した小型のレーザー装置が開示されているが、そのQスイッチは可飽和現象を利用する受動Qスイッチであり、Qスイッチを能動的に制御することができない。

非特許文献2に、電気光学効果を利用してQスイッチを能動的に制御する技術が開示されているが、固体レーザー材料の厚みが0.5mmであるのに対し、Qスイッチの厚みが5mmもあり、Qスイッチがレーザー装置の小型化の障害となっている。

非特許文献3に、音響光学効果を利用してQスイッチを能動的に制御する技術が開示されているが、Qスイッチの厚みが32mmもあり、Qスイッチがレーザー装置の小型化の障害となっている。
現在の技術では、Qスイッチを能動的に制御可能とすると、そのQスイッチが大型化してしまってレーザー装置の小型化の障害となっている。現在の技術では、レーザー装置の小型化とQスイッチの能動化を両立させることができない。

Field of industrial application (In Japanese)

本明細書で開示する技術は、励起光で励起すると反転分布状態となって誘導放出現象が生じる固体レーザー材料を利用する固体レーザー装置に関する。特に、一対の共振ミラーの間に固体レーザー材料とQスイッチを配置することによって、パルスレーザーを発光するQスイッチ固体レーザー装置に関する。以下では簡単化のために、Qスイッチ固体レーザー装置をレーザー装置と略称することがある。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
第1共振ミラーと固体レーザー材料とQスイッチと第2共振ミラーが、その順序で配置されており、
前記Qスイッチが、磁気光学効果を呈する膜と磁束発生器の組み合わせで構成されており、
前記固体レーザー材料に励起光を入射し、前記磁束発生器にパルスを加えると、パルスレーザーを発光するQスイッチ固体レーザー装置。

【請求項2】
 
前記磁気光学効果を呈する膜が、磁束発生器による磁束変化によってファラデー回転角が1度以上変化する膜から選択されている請求項1のQスイッチ固体レーザー装置。

【請求項3】
 
前記磁気光学効果を呈する膜が、希土類鉄ガーネットである請求項1または2のQスイッチ固体レーザー装置。

【請求項4】
 
前記磁束発生器が、永久磁石と励磁コイルの組み合わせで構成されている請求項1から3のいずれかの1項に記載のQスイッチ固体レーザー装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2015207278thum.jpg
State of application right Published
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