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(In Japanese)電子素子

Patent code P170014244
File No. (AF12-16WO)
Posted date Jun 23, 2017
Application number P2015-505449
Patent number P6225347
Date of filing Mar 9, 2014
Date of registration Oct 20, 2017
International application number JP2014056080
International publication number WO2014142040
Date of international filing Mar 9, 2014
Date of international publication Sep 18, 2014
Priority data
  • P2013-047422 (Mar 9, 2013) JP
Inventor
  • (In Japanese)真島 豊
  • (In Japanese)寺西 利治
  • (In Japanese)東 康男
  • (In Japanese)坂本 雅典
  • (In Japanese)加納 伸也
  • (In Japanese)ダニエル エドゥアルド ウルタド サリナス
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title (In Japanese)電子素子
Abstract (In Japanese)金属ナノ粒子を用いなくても、スイッチングやメモリとして機能する電子素子を提供する。電子素子が、ナノギャップを有するように配置された一方の電極及び他方の電極5A,5Bと、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間で少なくとも何れかの電極上に設けられたハロゲンイオン6と、を備える。一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に電圧を正の値から負の値まで、負の値から正の値まで連続的に繰り返し変化させると、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に流れる電流波形が非対称となる。一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に印加する電圧の値に応じてハロゲンイオン6の状態を変化させ、一方の電極5Aと他方の電極5Bとの間に流れる電流の値に対応させて情報の書き込み状態と情報の消去状態とを維持する。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

対向する電極間に架橋、細線、ポイントコンタクトなどを形成した電子素子が開発されている(例えば特許文献1)。一方、本発明者らは、単電子トランジスタの製造技術の確立のために、単電子デバイスにおけるクーロン島として金ナノ粒子に注目し、STMを用いて1.8nmの粒径の金ナノ粒子が常温でクーロン島として機能していることを明らかにしてきた。また、固体基板上に電子デバイスの構築に向けて、無電解メッキを用いて5nmのギャップ長を有するナノギャップ電極を一度に高歩留まりで作製する技術を確立してきた。さらに、ナノギャップ電極間に、アルカンチオール分子で保護された金ナノ粒子を化学吸着法により導入した単電子トランジスタの動作について報告してきた(非特許文献1乃至5)。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、スイッチング機能やメモリ機能を有する電子素子に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
ナノギャップを有するように配置された一方の電極及び他方の電極と、
記一方の電極と記他方の電極との間で少なくとも何れかの電極上に設けられたハロゲンイオンと、
を備え
前記ハロゲンイオンは、前記一方の電極上で前記他方の電極に対向するように設けられるか、又は、前記一方の電極の表面と前記他方の電極の表面に互いに対向するように設けられ、前記一方の電極に設けられたハロゲンイオンの数が前記他方の電極に設けられたハロゲンイオンの数と異なる、電子素子。

【請求項2】
 
前記一方の電極と前記他方の電極との間に電圧を正の値から負の値まで及び/又は負の値から正の値まで連続的に変化させると、前記一方の電極と前記他方の電極との間に流れる電流波形が非対称となる、請求項1に記載の電子素子。

【請求項3】
 
前記一方の電極と前記他方の電極との間の電圧に対する電流特性が負性微分コンダクタンスを有する、請求項1に記載の電子素子。

【請求項4】
 
前記一方の電極と前記他方の電極との間に印加する電圧の値に応じて前記ハロゲンイオンの状態を変化させ、前記一方の電極と前記他方の電極との間に流れる電流の値に対応させて情報の書き込み状態と情報の消去状態とを維持する、請求項1に記載の電子素子。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2015505449thum.jpg
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) CREST Establishment of Innovative Manufacturing Technology Based on Nanoscience AREA
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