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(In Japanese)太陽電池および太陽電池の製造方法

Patent code P170014261
File No. (FPV002A-WO)
Posted date Jun 23, 2017
Application number P2016-511357
Patent number P6188921
Date of filing Mar 13, 2015
Date of registration Aug 10, 2017
International application number JP2015001413
International publication number WO2015151422
Date of international filing Mar 13, 2015
Date of international publication Oct 8, 2015
Priority data
  • P2014-073369 (Mar 31, 2014) JP
Inventor
  • (In Japanese)市川 幸美
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title (In Japanese)太陽電池および太陽電池の製造方法
Abstract (In Japanese)本発明に係る太陽電池(300)は、例えば、光入射側に設けられたトップセル(100)と、このトップセル(100)の下方に設けられたボトムセル(200)が積層されたタンデム型の太陽電池であり、トップセル(100)のエネルギーギャップは、ボトムセル(200)のエネルギーギャップよりも大きな材料が選択されている。本発明では、トップセル(100)の結晶Si層の厚みを30μm以下とし、好ましくは5μm~10μmの範囲とする。n型結晶Si層の厚みが10μm以下では、結晶Si層内におけるキャリアのオージェ再結合が顕著に抑制される結果、開放電圧の向上が顕著である。また、出力を、トップセル(100)とボトムセル(200)から各々独立に取り出すことができるため、直列接続型タンデムセルで必要となる発電電流のマッチングを取る必要がない。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

太陽電池の分野においては、広波長域の太陽光を光電変換することで光電変換効率の向上を図るべく、複数の光電変換部を積層したタンデム型(多接合型)太陽電池が知られている(例えば、特許文献1~3を参照)。このようなタンデム型太陽電池の光電変換効率をさらに向上させるためには、光の利用効率をさらに高めて出力電流を向上させる必要がある。

単結晶Siウェハを用いた太陽電池として、現在高い光電変換効率を実現しているのは、アモルファスSiを単結晶Siウェハの両面に堆積したヘテロ接合太陽電池と、入射光側とは反対側の面にエミッタと裏面電界領域(BSF領域)を形成したバックコンタクト太陽電池である。

タンデム型Si太陽電池の光電変換効率の更なる向上のためには、結晶Si層内でのオージェ再結合の抑制が重要な課題となる。この課題解決のための方法のひとつに、結晶Si層の厚みを薄くすることがあり、研究レベルでは結晶Si層を100μm程度に薄くして比較的高い光電変換効率の太陽電池が得られている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、太陽電池技術に関し、より詳細には、従来の太陽電池に比較して光電変換効率の高いシリコン太陽電池およびその製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
トップセルが単結晶Si基体の主面上に設けられており、
前記トップセルは、光入射側から、順次、第1透明導電層、第1導電型を有するアモルファスSi材料層、前記第1導電型とは逆の第2導電型を有する厚みが3μm~30μmの単結晶Si層、第2導電型を有するアモルファスSi層、および第2透明導電層を有する積層構造を有し、
前記単結晶Si基体は、トップセル側に絶縁性透明パッシベーション層を有するバックコンタクト型結晶Siセル構造のボトムセルであり、
前記トップセルの前記第2透明導電層と前記ボトムセルの前記絶縁性透明パッシベーション層が接合されてタンデム化されており、
前記トップセルは、前記第1導電型を有するアモルファスSi材料層と前記単結晶Si層の間に、i型アモルファスSi材料層を備え、さらに、
前記第2導電型を有する単結晶Si層と前記第2導電型を有するアモルファスSi層との間に、i型アモルファスSi層を備えている、
ことを特徴とする太陽電池。

【請求項2】
 
前記絶縁性透明パッシベーション層は、シリコン酸化物もしくはアルミニウム酸化物からなる層である、請求項1に記載の太陽電池。

【請求項3】
 
前記トップセルが備える第2透明導電層は、酸化インジウム・スズ(ITO)からなる、請求項1に記載の太陽電池。

【請求項4】
 
前記トップセルは、上方から見たときに、前記第2透明導電層の表面が、バスバー部と該バスバー部から延在する複数のフィンガー部を有する櫛歯状に露出されている、請求項1に記載の太陽電池。

【請求項5】
 
前記トップセルの表面に、前記第1透明導電層に電気的に接続される第1の櫛歯状の受光面電極と、前記第2透明導電層に電気的に接続される第2の櫛歯状の受光面電極が設けられている、請求項1に記載の太陽電池。

【請求項6】
 
前記ボトムセルの裏面側には、バスバー部と該バスバー部から延在する複数のフィンガー部を有する櫛歯状に形成された第1導電型領域と、バスバー部と該バスバー部から延在する複数のフィンガー部を有する櫛歯状に形成され、前記単結晶Si基体のバルク部よりもドナー濃度の高い第2導電型領域が形成されており、前記第1導電型領域のフィンガー部と前記第2導電型領域のフィンガー部は、所定間隔で交互に位置しており、さらに、
前記ボトムセルの裏面に、前記第1導電型領域に電気的に接続される第1の櫛歯状の裏面電極と、前記第2導電型領域に電気的に接続される第2の櫛歯状の裏面電極が設けられている、
請求項1~5の何れか1項に記載の太陽電池。

【請求項7】
 
前記太陽電池を上方から見たときに、前記第1の櫛歯状の受光面電極のバスバー部と前記第2の櫛歯状の裏面電極のバスバー部が一方端側で平行に位置しており、前記第2の櫛歯状の受光面電極のバスバー部と前記第1の櫛歯状の裏面電極のバスバー部が他方端側で平行に位置している、請求項6に記載の太陽電池。

【請求項8】
 
前記トップセルの前記単結晶Si層が、前記トップセルと前記ボトムセルの発電電流が同じになる厚みに設計されている、請求項1~7の何れか1項に記載の太陽電池。

【請求項9】
 
前記トップセルが備える第1透明導電層、第1導電型を有するアモルファスSi材料層、第2導電型を有する単結晶Si層、第2導電型を有するアモルファスSi層、を有する積層構造は、前記太陽電池を上方から見たときに、所定の間隔で2次元配列する複数のナノワイヤ若しくは壁面が所定の方向に揃い且つ所定の間隔で2次元配列する複数の壁状のナノウォールに区画されたアレイ構造を有し、前記ナノワイヤの直径若しくは前記ナノウォールの厚みが、前記単結晶Si層の部位において10nm以下であり、
互いに隣接する前記ナノワイヤ若しくは前記ナノウォールは、絶縁性物質により離間されている、
請求項1~8の何れか1項に記載の太陽電池。

【請求項10】
 
単結晶Si基体上にトップセルを有する太陽電池の製造方法であって、
表面領域にアモルファスSi層が形成され、該アモルファスSi層の上に透明導電層が設けられた第1のSi単結晶基板と、バックコンタクト型結晶Siセル構造のボトムセルとなる第2のSi単結晶基板であって、表面領域に透明導電層若しくは絶縁性透明パッシベーション層が形成された第2のSi単結晶基板の表面同士を、プラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で表面活性化処理を行い、400℃以下の温度で貼り合わせる第1のステップと、
前記第1のSi結晶基板を裏面から厚み30μm以下まで薄くして前記トップセルの単結晶Si層とする第2のステップと、
を備えている太陽電池の製造方法。

【請求項11】
 
前記透明導電層は酸化インジウム・スズ(ITO)であり、前記絶縁性透明パッシベーション層はシリコン酸化物もしくはアルミニウム酸化物からなる層である、請求項10に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項12】
 
前記第2のステップの後に、前記トップセルの単結晶Si層の上方に、前記第1のSi単結晶基板とは逆の導電型を有するアモルファスSi材料層を形成する第3のステップを備えている、請求項10に記載の太陽電池の製造方法。

【請求項13】
 
前記第3のステップは、前記アモルファスSi材料層の形成に先立ち、前記単結晶Si層を、所定の間隔で2次元配列する複数のナノワイヤであって前記単結晶Si層の部位において直径が10nm以下のナノワイヤ、若しくは、壁面が所定の方向に揃い且つ所定の間隔で2次元配列する複数の壁状のナノウォールであって前記単結晶Si層の部位において厚みが10nm以下であるナノウォールに区画するサブステップを備えている、請求項10に記載の太陽電池の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2016511357thum.jpg
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