Top > Search of Japanese Patents > ZINC OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, SINTERED BODY TARGET FOR MAGNETRON SPUTTERING, LIQUID CRYSTAL DISPLAY, AND TOUCH PANEL, AND APPARATUS COMPRISING ZINC OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM

ZINC OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, SINTERED BODY TARGET FOR MAGNETRON SPUTTERING, LIQUID CRYSTAL DISPLAY, AND TOUCH PANEL, AND APPARATUS COMPRISING ZINC OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM meetings

Patent code P170014479
File No. PA20-008-6
Posted date Aug 2, 2017
Application number P2013-181145
Publication number P2014-037631A
Patent number P5613805
Date of filing Sep 2, 2013
Date of publication of application Feb 27, 2014
Date of registration Sep 12, 2014
Inventor
  • (In Japanese)南 内嗣
  • (In Japanese)宮田 俊弘
Applicant
  • (In Japanese)学校法人金沢工業大学
Title ZINC OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, SINTERED BODY TARGET FOR MAGNETRON SPUTTERING, LIQUID CRYSTAL DISPLAY, AND TOUCH PANEL, AND APPARATUS COMPRISING ZINC OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film which uses, as a base material, zinc oxide having low resistivity, small film thickness dependence of resistivity, and a small resistivity distribution on a substrate, a technique for producing the transparent conductive film, and an oxide sintered body for producing a thin film.
SOLUTION: A zinc oxide-based transparent conductive film substantially comprises zinc, silicon, tin, and oxygen, wherein silicon is contained at an atomic ratio of Si/(Zn+Si+Sn) of more than 1% and less than 8%, and tin is contained at an atomic ratio of Sn/(Zn+Si+Sn) of more than 0.1% and less than 1%.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

ITO(Indium Tin Oxide)薄膜は、低抵抗率で可視光に対して高い透過率を示すことから、液晶ディスプレイを中心としたフラットパネルディスプレイやタッチパネル、太陽電池などの透明電極として幅広く用いられている。しかし、近年、ITOの原材料であるインジウム価格の高騰、資源問題等による安定供給不安からインジウムを使用しない透明導電膜(ITO代替材料)への関心が高まっている。ITO代替材料としては、酸化亜鉛、酸化スズを母材とした材料が知られているが、特に、酸化亜鉛にアルミニウムを添加した膜(以下AZOと略記する)では、1.9×10-4ΩcmというITOに匹敵する値が報告されている(例えば非特許文献1参照)。

酸化亜鉛を母材とする膜の形成方法としては、高周波(rf)マグネトロンスパッタリング法、直流(dc)マグネトロンスパッタリング法、パルスレーザー蒸着法、真空アークプラズマ蒸着法、イオンプレーティング法などをあげることができる。上記、1.9×10-4Ωcmという値は、rfマグネトロンスパッタリング法により得られている。しかし、フラットパネルディスプレイの製造工程では、大面積均一成膜および高速成膜が必要とされ、液晶ディスプレイ(LCD)を始め多くのフラットパネルディスプレイ用の透明電極製造にはdcマグネトロンスパッタリング法が採用されている。そのため既存の製造工程への対応を考えた場合には、このdcマグネトロンスパッタリング法で実用的特性を示す膜を形成する必要がある。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、フラットパネルディスプレイやタッチパネルなどに使用される透明導電膜及びその成膜に使用するマグネトロンスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットに関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
実質的に亜鉛、珪素、スズおよび酸素からなり、珪素がSi/(Zn+Si+Sn)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、且つスズがSn/(Zn+Si+Sn)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有されることにより、珪素がドナーとして作用し、スズが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜。

【請求項2】
 
透明導電膜の厚さが200nm未満であることを特徴とする請求項1に記載の酸化亜鉛系透明導電膜。

【請求項3】
 
請求項1または2に記載の化学的組成からなるマグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット。

【請求項4】
 
請求項3に記載の焼結体ターゲットを用いるマグネトロンスパッタリング法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる液晶ディスプレイ及びタッチパネル。

【請求項5】
 
請求項3に記載の焼結体ターゲットを用いるマグネトロンスパッタリング法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2013181145thum.jpg
State of application right Registered
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close