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銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法 UPDATE コモンズ

国内特許コード P170014747
整理番号 N16104
掲載日 2017年12月25日
出願番号 特願2017-115544
公開番号 特開2019-002034
出願日 平成29年6月13日(2017.6.13)
公開日 平成31年1月10日(2019.1.10)
発明者
  • 新井 進
  • 清水 雅裕
  • 小笠原 孝之
出願人
  • 国立大学法人信州大学
発明の名称 銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法 UPDATE コモンズ
発明の概要 【課題】 酸性めっき浴を用いて、銅・単層カーボンナノチューブの複合めっきを可能にする複合めっき方法を提供する。
【解決手段】 酸性のめっき浴を使用し、電解銅めっき方法により単層カーボンナノチューブの複合銅めっき膜を作製する銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法であって、前記酸性のめっき浴(例えば硫酸銅めっき浴)に、分散剤としてカチオン系の界面活性剤(例えばSTAC)を添加してめっきすることを特徴とする。
【選択図】 図9
従来技術、競合技術の概要


銅(Cu)は電気伝導性、熱伝導性に優れた金属であり、この性質を活かして銅めっきはエレクトロニクス産業に幅広く利用されている。近年では電子デバイスの高性能化のため更なる熱伝導性と電流耐性の向上が求められている。他方、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は熱伝導性、電気伝導性,機械的強度において優れており、これを銅と複合化することで熱伝導性の一層の向上が期待できる。



本発明者は、多層カーボンナノチューブ(MWCNT)を用いる複合めっきについて報告している(特許文献1、特許文献2)。このMWCNTを用いる複合めっきにおいては、硫酸銅浴を用いる電解銅めっき法により、銅めっき膜中に多層カーボンナノチューブを確実に取り込むことができることを示している。この多層カーボンナノチューブの複合めっきにおいては、分散剤としてポリアクリル酸を使用した。



ところで、近年、多層カーボンナノチューブにかえて、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)を対象として複合めっきする方法について検討が始められている。単層カーボンナノチューブは多層カーボンナノチューブとは異なる電気的特性、機械的特性を備えるから、SWCNTの複合めっきはMWCNTの複合めっきとは異なる用途への利用展開を見込むことができる。
特許文献3には、銅・単層カーボンナノチューブの複合めっき方法として、イオン性界面活性剤と高分子系界面活性剤を使用し、アルカリ浴を用いて電解めっきあるいは無電解めっきにより複合めっきを施す方法が開示されている。

産業上の利用分野


本発明は、銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法に関し、より詳細には、電解めっき法により酸性めっき浴を用いて、銅・単層カーボンナノチューブ複合めっきを施す方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
酸性のめっき浴を使用し、電解銅めっき方法により単層カーボンナノチューブの複合銅めっき膜を作製する銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法であって、
前記酸性のめっき浴に分散剤としてカチオン系の界面活性剤を添加してめっきすることを特徴とする銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法。

【請求項2】
前記酸性のめっき浴として、硫酸銅のめっき浴を使用することを特徴とする請求項1記載の銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法。

【請求項3】
前記分散剤として、トリメチルステアリルアンモニウムクロリド(STAC)を使用することを特徴とする請求項1または2記載の銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法。

【請求項4】
前記単層カーボンナノチューブとして、径約2nm、長さ数μm~10μmである単層カーボンナノチューブを使用することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載の銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法。


国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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