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COPPER/MONOLAYER CARBON NANOTUBE COMPOSITE PLATING METHOD commons

Patent code P170014747
File No. N16104
Posted date Dec 25, 2017
Application number P2017-115544
Publication number P2019-002034A
Date of filing Jun 13, 2017
Date of publication of application Jan 10, 2019
Inventor
  • (In Japanese)新井 進
  • (In Japanese)清水 雅裕
  • (In Japanese)小笠原 孝之
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人信州大学
Title COPPER/MONOLAYER CARBON NANOTUBE COMPOSITE PLATING METHOD commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite plating method that can plate a composite of a copper/monolayer carbon nanotube using an acidic plating bath.
SOLUTION: The present invention relates to a copper/monolayer carbon nanotube composite plating method in which a composite copper plating film of a monolayer carbon nanotube is produced by an electrolytic copper plating method using an acidic plating bath. The plating is performed by adding a cationic surfactant (for example, STAC) as a dispersant to the acidic plating bath (for example, a copper sulfate plating bath).
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

銅(Cu)は電気伝導性、熱伝導性に優れた金属であり、この性質を活かして銅めっきはエレクトロニクス産業に幅広く利用されている。近年では電子デバイスの高性能化のため更なる熱伝導性と電流耐性の向上が求められている。他方、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は熱伝導性、電気伝導性,機械的強度において優れており、これを銅と複合化することで熱伝導性の一層の向上が期待できる。

本発明者は、多層カーボンナノチューブ(MWCNT)を用いる複合めっきについて報告している(特許文献1、特許文献2)。このMWCNTを用いる複合めっきにおいては、硫酸銅浴を用いる電解銅めっき法により、銅めっき膜中に多層カーボンナノチューブを確実に取り込むことができることを示している。この多層カーボンナノチューブの複合めっきにおいては、分散剤としてポリアクリル酸を使用した。

ところで、近年、多層カーボンナノチューブにかえて、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)を対象として複合めっきする方法について検討が始められている。単層カーボンナノチューブは多層カーボンナノチューブとは異なる電気的特性、機械的特性を備えるから、SWCNTの複合めっきはMWCNTの複合めっきとは異なる用途への利用展開を見込むことができる。
特許文献3には、銅・単層カーボンナノチューブの複合めっき方法として、イオン性界面活性剤と高分子系界面活性剤を使用し、アルカリ浴を用いて電解めっきあるいは無電解めっきにより複合めっきを施す方法が開示されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法に関し、より詳細には、電解めっき法により酸性めっき浴を用いて、銅・単層カーボンナノチューブ複合めっきを施す方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
酸性のめっき浴を使用し、電解銅めっき方法により単層カーボンナノチューブの複合銅めっき膜を作製する銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法であって、
前記酸性のめっき浴に分散剤としてカチオン系の界面活性剤を添加してめっきすることを特徴とする銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法。

【請求項2】
 
前記酸性のめっき浴として、硫酸銅のめっき浴を使用することを特徴とする請求項1記載の銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法。

【請求項3】
 
前記分散剤として、トリメチルステアリルアンモニウムクロリド(STAC)を使用することを特徴とする請求項1または2記載の銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法。

【請求項4】
 
前記単層カーボンナノチューブとして、径約2nm、長さ数μm~10μmである単層カーボンナノチューブを使用することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載の銅・単層カーボンナノチューブ複合めっき方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2017115544thum.jpg
State of application right Published
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