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磁性体とBiSbの積層構造の製造方法、磁気抵抗メモリ、純スピン注入源 (未公開特許出願)

国内特許コード P180014824
整理番号 S2017-0902-N0
掲載日 2018年3月19日
出願番号 特願2017-177564
出願日 平成29年9月15日(2017.9.15)
発明の名称 磁性体とBiSbの積層構造の製造方法、磁気抵抗メモリ、純スピン注入源 (未公開特許出願)
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