TOP > 国内特許検索 > 2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体およびその製造法

2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体およびその製造法 UPDATE

国内特許コード P180014902
整理番号 H25-S17dp
掲載日 2018年4月26日
出願番号 特願2014-227212
公開番号 特開2015-117233
出願日 平成26年11月7日(2014.11.7)
公開日 平成27年6月25日(2015.6.25)
優先権データ
  • 特願2013-236357 (2013.11.15) JP
発明者
  • 畑中 保丸
  • 千葉 順哉
  • 友廣 岳則
  • 中山 純
出願人
  • 国立大学法人富山大学
発明の名称 2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体およびその製造法 UPDATE
発明の概要 【課題】C-1位に構造多様性を持たせたシアル酸誘導体及びクリック反応によるその製造方法。
【解決手段】式[1]で表される2-デオキシ2,3-デヒドロシアル酸誘導体



(Rはチオカルボキシル基、チオアミド基、アシルスルホンアミド基又はスルホニルアミジン基)
【選択図】図2
従来技術、競合技術の概要


インフルエンザ治療薬として使用されているオセルタミビル(Oseltamivir)やザナミビル(Zanamivir)は、ノイラミニダーゼが触媒するシアリル糖鎖からのシアル酸切断反応の遷移状態アナローグを基に開発された。
遷移状態アナローグの代表的な1つの構造に、Zanamivir の母骨格にもなっている2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸骨格があり、ノイラミニダーゼ阻害剤開発研究において汎用されている。
シアル酸C-1位のカルボン酸は生理的条件下でマイナスの電荷を持っており、阻害剤開発研究の分子設計段階においてはこの電荷とノイラミニダーゼアミノ酸側鎖との水素結合が重要視されてきた(非特許文献1)。
従って、カルボン酸には手を加えずそのまま利用するか、プロドラッグ化してエステル結合に変換する手法が多用されてきた(非特許文献2)。
最近、C-1位にリン酸基(非特許文献3)やアミド結合(非特許文献4)を導入した例が報告された。
リン酸基そのものが導入された例では、マイナス電荷は保持されたがC-1位の構造多様性は無い。またアミド結合の導入ではマイナス電荷が犠牲にされており、いくつかの誘導体が示されているものの、その構造はアミノ酸側鎖程度の小さなものばかりであった。
Zanamivirのグアニジンユニットの代わりにスルホニルアミジンがC-4位に導入された例はあるものの(非特許文献5)、スルホニルアミジンのC-1位への導入は達成されていない。



一方、本発明者らは、チオアミドを用いる新規クリック型反応を報告している(非特許文献6)。

産業上の利用分野


本発明は、新規な2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体およびその製造法、より具体的にはC-1位にアシルスルホンアミドまたはスルホニルアミジンを導入した2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体およびそれらのクリック反応による製造方法並びに、2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体の多価性構造体およびその製造法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
一般式
【化1】


「式中、Rは、保護されていてもよいチオカルボキシル基、チオアミド基、アシルスルホンアミド基またはスルホニルアミジン基を;Rは、保護されていてもよいヒドロキシル基、アミノ基またはグアニジノ基を、R、RおよびRは、同一または異なって水素原子または保護基を;Rは、水素原子または保護基を、それぞれ、意味する。」
で表される2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体。

【請求項2】
が、保護されていてもよいチオカルボキシル基またはチオアミド基である請求項1に記載の2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体。

【請求項3】
が、アシルスルホンアミド基またはスルホニルアミジン基である請求項1に記載の2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体。

【請求項4】
が、保護されていてもよいヒドロキシル基である請求項1~3に記載の2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体。

【請求項5】
が、アミノ基またはグアニジノ基である請求項1~3に記載の2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体。

【請求項6】
請求項1~5に記載の2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体の多価性構造体。

【請求項7】
一般式(1a′)
【化2】


「式中、Rは、保護されていてもよいヒドロキシル基、アミノ基またはグアニジノ基を、
、RおよびRは、同一または異なって水素原子または保護基を;Rは、水素原子または保護基を、それぞれ、意味する。」
で表される2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体に、
一般式(2)
【化3】


「式中、R7は、有機基を意味する」
で表されるアジド化合物を反応させることを特徴とする
一般式(1b)
【化4】


「式中、R7は、有機基を; Rは、保護されていてもよいヒドロキシル基、アミノ基またはグアニジノ基を、R、RおよびRは、同一または異なって水素原子または保護基を;Rは、水素原子または保護基を、それぞれ、意味する。」
で表される2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体またはそれらの多価性構造体の製造方法。

【請求項8】
一般式(1c)
【化5】


「式中、Rは、保護されていてもよいヒドロキシル基、アミノ基またはグアニジノ基を;
は、水素原子または保護基を;R、RおよびRは、同一または異なって水素原子または保護基を、それぞれ、意味する。」
で表される2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体に、
一般式(2)
【化6】


「式中、R7は、有機基を意味する」
で表されるアジド化合物を反応させることを特徴とする
一般式(1d)
【化7】


「式中、R7は、有機基を; Rは、保護されていてもよいヒドロキシル基、アミノ基またはグアニジノ基を、R、RおよびRは、同一または異なって水素原子または保護基を;Rは、水素原子または保護基を、それぞれ、意味する。」
で表される2-デオキシ-2,3-ジデヒドロシアル酸誘導体およびそれらの多価性構造体の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

JP2014227212thum.jpg
出願権利状態 公開
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記までご連絡ください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close