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記憶改善剤及びその使用 NEW

国内特許コード P180015013
整理番号 (S2015-0748-N0)
掲載日 2018年5月23日
出願番号 特願2017-512578
出願日 平成28年4月14日(2016.4.14)
国際出願番号 JP2016062006
国際公開番号 WO2016167318
国際出願日 平成28年4月14日(2016.4.14)
国際公開日 平成28年10月20日(2016.10.20)
優先権データ
  • 特願2015-084402 (2015.4.16) JP
発明者
  • 藤井 秀明
  • 平山 重人
  • 田辺 光男
  • 岩井 孝志
出願人
  • 学校法人北里研究所
発明の名称 記憶改善剤及びその使用 NEW
発明の概要 オピオイドδ受容体のインバースアゴニストである化合物、その薬学的に許容される塩、又はそれらの溶媒和物を有効成分として含有する記憶改善剤及び記憶改善用組成物、下記式(5)で表される化合物、その薬学的に許容される塩、又はそれらの溶媒和物。
[化1]


従来技術、競合技術の概要


オピオイド受容体とは、モルヒネ様物質(オピオイド)の作用発現に関与する細胞表面受容体タンパク質であり、少なくとも、μ(以下、「オピオイドμ受容体」という。)、κ(以下、「オピオイドκ受容体」という。)、δ(以下、「オピオイドδ受容体」という。)の3種のサブタイプが知られている。



大脳皮質や視床のオピオイドμ受容体を刺激すると、下行性の抑制系が活性化し、間接的に鎮痛作用を発揮する。また、脊髄後角に存在するオピオイドμ受容体を刺激すると、侵害刺激伝達が直接抑制され、鎮痛作用を発揮する。オピオイドμ受容体には、これらの他にも、胃腸運動の減少、縮瞳、多幸感、徐脈、神経伝達物質の抑制等の作用があることが知られている。



オピオイドκ受容体は、視床下部、脊髄に多く存在し、脊髄のオピオイドκ受容体を活性化すると、鎮痛作用や鎮静作用・縮瞳・徐脈が起こることが知られている。



オピオイドδ受容体は錐体外経路系に多く存在し、情動・神経伝達物質の制御や、依存に関与するとされ、鎮痛効果は弱いと考えられている。オピオイドδ受容体のリガンドとしては、ナルトルインドール(NTI)、ナルトリベン(NTB)、7-ベンジリデンナルトレキソン(BNTX)等が知られている(例えば、非特許文献1~3を参照)。

産業上の利用分野


本発明は、記憶改善剤及びその使用に関する。より具体的には、記憶改善剤、記憶改善用組成物及び新規化合物に関する。本願は、2015年4月16日に、日本に出願された特願2015-084402号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

特許請求の範囲 【請求項1】
オピオイドδ受容体のインバースアゴニストである化合物、その薬学的に許容される塩、又はそれらの溶媒和物を有効成分として含有する、記憶改善剤。

【請求項2】
前記インバースアゴニストが、下記式(1)で表される化合物である、請求項1に記載の記憶改善剤。
【化1】


[式(1)中、Rは、いずれも置換されていてもよい、炭素数1~5のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキルアルキル基、炭素数5~7のシクロアルケニルアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数6~12のヘテロアリール基、炭素数7~13のアラルキル基、炭素数4~7のアルケニル基、アリル基、炭素数1~5のフラン-2-イルアルキル基、炭素数1~5のチオフェン-2-イルアルキル基、炭素数1~6のハロゲン化アルキル基、炭素数1~6のアルキルカルボニル基、炭素数1~6のシクロアルキルカルボニル基、炭素数7~13のアリールカルボニル基、炭素数6~12のヘテロアリールカルボニル基、炭素数6~12のアリールアルキルカルボニル基、炭素数6~12のヘテロアリールアルキルカルボニル基、炭素数1~6のアルケニルカルボニル基を表し、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~5のアルカノルオキシ基、炭素数1~5のアルコキシ基、炭素数7~13のアリールカルボニルオキシ基又は炭素数7~13のアラルキルオキシ基を表し、Xは、下記式(2)
【化2】


[式(2)中、Rは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基若しくは炭素数7~13のアラルキル基を表し、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、イソチオシアナト基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、シアノ基、フェニル基、アミノ基、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、炭素数1~3のヒドロキシアルキル基、炭素数3~7のシクロアルキル基、SR、SOR、SO、(CHCO(但し、mは0~3の整数、Rは炭素数1~5のアルキル基を表す。)、SONR10、CONR10若しくは(CHNR10(但し、nは0~3の整数、R、R10はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~5のアルキル基若しくは炭素数4~6のシクロアルキルアルキル基を表す。)を表すか、又はRは前記定義に同じでかつ、R及びRを結合して(1)炭素数3~6のアルキレン基(但し、アルキレン部の水素はR11(R11は炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、炭素数1~5のアルカノイル基、炭素数1~5のヒドロキシアルキル基、SR、SOR、SO、(CHCO、SONR10、CONR10、(CHNR10(但し、m、n、R、R及びR10は前記定義に同じである。))で置換されていてもよく、かつアルキレン基はベンゼン環の隣接する炭素に結合して環を形成する。)、若しくは(2)-S=T-U=V-(S、T、U及びVは窒素原子若しくはCH(但し、水素原子はR12(R12はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、イソチオシアナト基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、シアノ基、フェニル基、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、炭素数1~3のヒドロキシアルキル基、SR、SOR、SO、(CHCO、SONR10、CONR10若しくは(CHNR10(但し、m、n、R、R及びR10は前記定義に同じである。))で置換されていてもよく、かつベンゼン環の隣接する炭素に結合して環を形成する。)を表す。]又は下記式(3)
【化3】


[式(3)中、R13及びR14は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、アミノ基、炭素数1~5のアルキル基若しくは炭素数1~5のアルコキシ基を表すか、又はR13及びR14が一緒になってベンゾ基を表す。]又は下記式(4)
【化4】


[式(4)中、R、R及びRは前記定義に同じである。]を表す。]

【請求項3】
前記Rが、いずれも置換されていてもよい、ベンジル基、ヘテロアリールメチル基、炭素数1~6のフルオロアルキル基、炭素数1~6のシクロアルキルカルボニル基、炭素数7~13のアリールカルボニル基又は炭素数6~12のヘテロアリールカルボニル基である、請求項1又は2に記載の記憶改善剤。

【請求項4】
請求項1~3のいずれか一項に記載の記憶改善剤及び薬学的に許容される担体を含有する記憶改善用組成物。

【請求項5】
下記式(5)で表される化合物、その薬学的に許容される塩、又はそれらの溶媒和物。
【化5】


[式(5)中、R1bは、いずれも置換されていてもよい、炭素数1~6のアルキルカルボニル基、炭素数1~6のシクロアルキルカルボニル基、炭素数7~13のアリールカルボニル基、炭素数6~12のヘテロアリールカルボニル基、炭素数6~12のアリールアルキルカルボニル基、炭素数6~12のヘテロアリールアルキルカルボニル基、炭素数1~6のアルケニルカルボニル基を表し、R2b、R3b及びXは、それぞれ前記式(1)におけるR、R及びXの定義に同じである。]
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2017512578thum.jpg
出願権利状態 公開


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