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Ｃａ3Ｎ2、Ｓｒ3Ｎ2、Ｂａ3Ｎ2等のアルカリ土類金属窒化物は、半導体装置に用いる窒化アルミニウムの原料、金属摺動部材用のセラミック粒子、電池電極構成材料、導電性微粒子等に用いられる化合物である。特許文献１には、アルカリ土類金属窒化物は、対応するアルカリ土類金属アミドを熱分解して製造する方法が開示されている。また、特許文献２には、アルカリ土類金属に、アンモニアを反応させて液相化し、得られた金属アミド化合物を熱分解し、高純度の金属窒化物を製造する方法が開示されている。
特許文献３には、金属アミド化合物の製造方法としては、金属水素化物又は金属水素化物にさらに金属単体又は合金を加えて、液体アンモニアと反応させて金属アミド化合物を製造する方法が開示されている。また別の方法として、反応容器にＬｉやＣａ等の金属やその化合物を封入し、冷却下、対金属体積比１０倍以上のアンモニアを導入して液化した後、撹拌反応させて、ＬｉＮＨ2、Ｃａ（ＮＨ2）2等の金属アミドを製造する方法が開示されている（特許文献４）。
代表的なアルカリ土類金属窒化物である窒化カルシウムは、これまでα-Ｃａ3Ｎ2、β-Ｃａ3Ｎ2、γ-Ｃａ3Ｎ2、Ｃａ11Ｎ8、Ｃａ2Ｎ等が知られている。また、窒化カルシウムの水素化物（以下、「Ｃａ－Ｎ－Ｈ系化合物」ということもある）であるＣａ2ＮＨ、ＣａＮＨ、Ｃａ(ＮＨ2)2等も知られている。
Ｃａ2Ｎは、容易に酸化されるなど、非常に化学的に不安定な物質であることが知られており、Ｃａ2Ｎが安定に存在できる範囲としてはＡｒ中で１０００℃以下、又は窒素中で２５０℃から８００℃の間と報告されている（非特許文献１）。
一方、本発明者らは、ＡＥ2Ｎ（ＡＥは、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａから選ばれる少なくとも１種の元素を表わす。）で表わされる窒化物が、高い伝導度を有する「２次元エレクトライド化合物」であることを見出した（特許文献５）。この２次元エレクトライド化合物ＡＥ2Ｎは、［ＡＥ2Ｎ］+で構成される層間に、電子（ｅ-）が陰イオンとして結びついた層状化合物である。すなわちイオン式ではＡＥ2Ｎ+：ｅ-と表わすこともできる。
例えば、代表的な２次元エレクトライド化合物であるＣａ2Ｎは、Ｃａ3Ｎ2と金属Ｃａを真空中で加熱することにより得られる。Ｃａ2Ｎの伝導電子濃度は１．４×１０22／ｃｍ3であり、２．６ｅＶの仕事関数を有することが報告されている（非特許文献２）。その後、この２次元のエレクトライドをピナコールカップリングの還元剤として利用した例が報告されている（非特許文献３）。
Ｃａ(ＮＨ2)2は、塩基触媒として作用し、２－メチル－１－ブテンなどのオレフィンの異性化反応に対して触媒活性を示す例（非特許文献４）や、Ａｌ2Ｏ3などの酸化物担体にＮａ、Ｋ、Ｅｕ、Ｙｂのアミド化合物を担持した触媒が、２－メチル－１－ブテンなどのオレフィンの異性化反応に対して触媒活性を示す例（非特許文献５）が報告されている。いずれの例も塩基触媒として機能することが報告されている。
アンモニア合成には、一般的にＦｅ3Ｏ4に数質量％のＡｌ2Ｏ3とＫ2Ｏを含んだ触媒を用いる方法（ハーバー・ボッシュ法）が用いられている。また、ハーバー・ボッシュ法以外の合成方法として、鉄系触媒やＲｕ系触媒（例えば、Ｒｕ／ＭｇＯ、Ｒｕ／ＣａＯ、Ｒｕ-Ｃｓ／ＭｇＯ）が検討されている（非特許文献６，７）。これらの触媒は、担体にアンモニア合成活性を持つ遷移金属を担持した触媒であり、一般に「担持金属触媒」と言われる。
アンモニア合成用のその他の担持金属触媒としては、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ等の周期表８族又は９族の遷移金属、周期表８族又は６Ｂ族遷移金属の窒化物やＣｏ・Ｍｏ複合窒化物等が用いられる（特許文献６～９）。また、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｍｇ2Ｏ又はマグネシウムアルミニウムスピネルを副担体とし、その上に担持された窒化ケイ素又は窒化ホウ素にＲｕを担持させたアンモニア合成触媒が知られている（特許文献１０）。
そして、本発明者らは、前記２次元エレクトライドに遷移金属を担持させることで、高い活性を有するアンモニア合成触媒となることを見出した。具体的には、ＭxＮyＨz（Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａから選ばれる少なくとも１種、ｘは１≦ｘ≦１１を満たす整数であり、ｙは１≦ｙ≦８を満たし、ｚは０≦ｚ≦４を満たす。）で表わされる金属窒化物又はその水素化物に、ＲｕやＦｅなどの遷移金属を担持した担持金属触媒が、アンモニア合成用の触媒となる（特許文献１１）。しかし、担体に金属アミド化合物及び金属を担持した複合体、及び担持金属触媒の報告は一切ない。
本発明は、遷移金属、担体及び金属アミドを含む複合体、前記複合体を用いた担持金属触媒並びにアンモニア合成触媒、及びアンモニア合成方法に関する。
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