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窒化炭素、その製造方法、及び半導体材料 (未公開特許出願) NEW 新技術説明会

国内特許コード P180015323
整理番号 2017-040
掲載日 2018年10月3日
出願番号 特願2017-248186
出願日 平成29年12月25日(2017.12.25)
発明者
  • 栗原 正人
  • 石﨑 学
出願人
  • 国立大学法人山形大学
発明の名称 窒化炭素、その製造方法、及び半導体材料 (未公開特許出願) NEW 新技術説明会
発明の概要 グラファイト状窒化炭素(g-C3N4)原料と安価なドーパントの割合変え、混合・焼成するだけで、バンドギャップ(BG)をほぼ0~2.7eVの範囲で自在に制御可能な、炭素ドープg-C3N4の合成法を見出した。n型半導体であるg-C3N4の狭BG化とともに、伝導帯が低エネルギー位置を系統的に制御した半導体材料が得られる。
未公開特許(まだ出願公開されていない特許)については、上記項目のみについて公開しています。詳細内容の開示にあたっては、別途、大学と秘密保持契約を締結していただくことが必要となります。
その手続き等について、詳しくお知りになりたい方は下記「問合せ先」までお問い合わせ下さい。


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