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発光体の製造方法、発光体、真偽判別体、メモリ媒体、及びマスクパターン形成方法 UPDATE 新技術説明会

国内特許コード P190015974
整理番号 1976
掲載日 2019年4月22日
出願番号 特願2017-215091
公開番号 特開2019-085499
出願日 平成29年11月7日(2017.11.7)
公開日 令和元年6月6日(2019.6.6)
発明者
  • 井村 考平
  • 香村 惟夫
出願人
  • 学校法人早稲田大学
発明の名称 発光体の製造方法、発光体、真偽判別体、メモリ媒体、及びマスクパターン形成方法 UPDATE 新技術説明会
発明の概要 【課題】所定パターンを容易に形成し得る発光体の製造方法、発光体、真偽判別体、メモリ媒体、マスクパターン形成方法を提案する。
【解決手段】本発明では、電子線反応化合物により生成した化合物含有溶液を形成対象物の表面に塗布して電子線反応膜を形成する(膜形成工程)。そして、電子線反応膜に電子線を照射することによって、二光子励起により発光する有機ポリマーからなる発光体を製造できる(照射工程)。したがって、二光子励起により光化学反応を起こさせる発光体を、微細加工が可能な電子線の照射により形成できるので、二光子励起で発光(光化学反応)する所定パターンを容易に形成し得る。
【選択図】図2
従来技術、競合技術の概要

従来、二光子励起により蛍光発光する樹脂組成物を含むインキを用い、印刷物に模様を描画し、印刷物の真偽判別を行うことが考えられている(例えば、特許文献1参照)。

産業上の利用分野

本発明は、発光体の製造方法、発光体、真偽判別体、メモリ媒体、及びマスクパターン形成方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
電子線反応化合物により生成した化合物含有溶液を形成対象物の表面に塗布して電子線反応膜を形成する膜形成工程と、
前記電子線反応膜に電子線を照射することによって、二光子励起により発光する有機ポリマーからなる発光体を製造する照射工程と、を備える発光体の製造方法。

【請求項2】
前記膜形成工程では、
前記電子線反応化合物がポリスチレンであり、前記化合物含有溶液は、前記ポリスチレンが0.01~20wt%含まれたポリスチレン溶液である、請求項1に記載の発光体の製造方法。

【請求項3】
前記照射工程における前記電子線の照射はドーズ量が110μC/cm以上30mC/cm未満である、請求項1又は2に記載の発光体の製造方法。

【請求項4】
前記照射工程では、前記電子線を所定パターンに照射することで、前記所定パターンの前記発光体を形成する、請求項1~3のいずれか1項に記載の発光体の製造方法。

【請求項5】
鎖状構造でなるポリマーの一部にトランスブタジエン類似構造を有し、かつ、前記ポリマー同士を連結する架橋構造を有した有機ポリマーからなり、二光子励起により発光する、発光体。

【請求項6】
前記トランスブタジエン類似構造は、主鎖の一部に炭素の二重結合と単結合を交互に有し、側鎖にベンゼンを有する、請求項5に記載の発光体。

【請求項7】
一光子励起によっても発光する、請求項5又は6に記載の発光体。

【請求項8】
発光体が所定パターンで形成された真偽判別体であって、
前記発光体は請求項5~7のいずれか1項に記載の発光体である、真偽判別体。

【請求項9】
電子線が照射されることにより請求項5~7のいずれか1項に記載の発光体となる電子線反応膜が形成された記録層を備え、前記記録層には、書き込むデータに応じて前記電子線反応膜の所定箇所に前記電子線が照射される、メモリ媒体。

【請求項10】
電子線が照射されることにより請求項5~7のいずれか1項に記載の発光体となる電子線反応膜を基体上に形成する膜形成工程と、
前記電子線を前記電子線反応膜の所定箇所に照射し、前記電子線が照射された箇所の前記電子線反応膜を前記発光体とする照射工程と、
溶液を用いて前記電子線反応膜を除去して、所定パターンの前記発光体を前記基体上に形成するパターン形成工程と、を備える、マスクパターン形成方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2017215091thum.jpg
出願権利状態 公開
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