半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス （未公開特許出願）

国内特許コード	P190016385
整理番号	2019-001
掲載日	2019年10月7日
出願番号	特願2019-125039
出願日	令和元年7月4日(2019.7.4)
発明者	梁剣波 他
出願人	公立大学法人大阪
発明の名称	半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス （未公開特許出願）
発明の概要	簡易な構成により放熱性能を向上させた半導体デバイス及びその製造方法を提供する。本発明の一側面に係る半導体デバイスの製造方法は、互いに対向する第１面及び第２面を有するガリウム系半導体を用意するステップと、互いに対向する第１面及び第２面を有するダイヤモンド基盤を用意するステップと、前記ガリウム系半導体の第２面及び前記ダイヤモンド基盤の第１面を表面活性化接合法により接合するステップとを備える。