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(In Japanese)半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス (Patent unpublished to the public) commons meetings

Patent code P190016385
File No. 2019-001
Posted date Oct 7, 2019
Application number P2019-125039
Date of filing Jul 4, 2019
Inventor
  • RYOU KENBO
  • Other
Applicant
  • UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION OSAKA
Title (In Japanese)半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス (Patent unpublished to the public) commons meetings
Abstract (In Japanese)簡易な構成により放熱性能を向上させた半導体デバイス及びその製造方法を提供する。本発明の一側面に係る半導体デバイスの製造方法は、互いに対向する第1面及び第2面を有するガリウム系半導体を用意するステップと、互いに対向する第1面及び第2面を有するダイヤモンド基盤を用意するステップと、前記ガリウム系半導体の第2面及び前記ダイヤモンド基盤の第1面を表面活性化接合法により接合するステップとを備える。


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