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半導体膜形成方法 NEW コモンズ 新技術説明会

国内特許コード P190016414
整理番号 KIT16046
掲載日 2019年10月21日
出願番号 特願2017-039028
公開番号 特開2018-147946
出願日 平成29年3月2日(2017.3.2)
公開日 平成30年9月20日(2018.9.20)
発明者
  • 片宗 優貴
  • 和泉 亮
出願人
  • 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 半導体膜形成方法 NEW コモンズ 新技術説明会
発明の概要 【課題】熱安定性を有し、化学気相蒸着後に基材から容易に除去可能なマスキング材を用いて、半導体膜を所定パターンに安定的に設けることが可能な半導体膜形成方法を提供する。
【解決手段】基材10に半導体膜11を所定のパターンで設ける半導体膜形成方法において、基材10表面の所定領域にマスキング材であるSiCNO膜12を形成する第1工程と、水素ラジカルの発生及び基材10の加熱を伴う化学気相蒸着によって、基材10表面のSiCNO膜12の非形成領域に半導体膜11を設けると共に、SiCNO膜12を脆化させる第2工程と、脆化したSiCNO膜12を基材10から除去する第3工程とを有する。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要 ダイヤモンドは、バンドギャップが5.47eVと大きく、炭化珪素や窒化ガリウムに比べ、絶縁破壊電界やキャリア移動度に優れることから、高効率かつ大電力用のパワー半導体の材料として期待されている。そして、ダイヤモンドは、それらの電気的特性に加え、機械的特性、熱伝導性及び化学的安定性に優れるため、MEMS、ヒートシンク、化学電極、バイオセンシングデバイス等、幅広い分野での採用が検討されている。ダイヤモンドをこれらの用途に用いるには、ダイヤモンドを所定の形状に高精度に成形する技術が重要であり、特に、ダイオードやトランジスタ等の微細化プロセスが必要な半導体デバイスには、ダイヤモンドの成形技術の高精度化が求められる。なお、ダイヤモンドを所定の形状に成形する具体的な技術が特許文献1、2に開示されている。
産業上の利用分野 本発明は、半導体膜を所定のパターンで基材に設ける半導体膜形成方法に関する。
特許請求の範囲 【請求項1】
基材に半導体膜を所定のパターンで設ける半導体膜形成方法において、
前記基材表面の所定領域にマスキング材であるSiCNO膜を形成する第1工程と、
水素ラジカルの発生及び前記基材の加熱を伴う化学気相蒸着によって、前記基材表面の前記SiCNO膜の非形成領域に前記半導体膜を設けると共に、前記SiCNO膜を脆化させる第2工程と、
脆化した前記SiCNO膜を前記基材から除去する第3工程とを有することを特徴とする半導体膜形成方法。

【請求項2】
請求項1記載の半導体膜形成方法において、前記SiCNO膜の組成をSixCyNzO(1-x-y-z)として、該組成の原子数比は、0.40<x<0.60、0.10<y<0.30、0.10<z<0.30、0<1-x-y-z<0.20であることを特徴とする半導体膜形成方法。

【請求項3】
請求項2記載の半導体膜形成方法において、前記原子数比は、0.50<x<0.60、0.10<y<0.20、0.15<z<0.25、0.05<1-x-y-z<0.15であることを特徴とする半導体膜形成方法。

【請求項4】
請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体膜形成方法において、前記半導体膜は、ダイヤモンド、窒化ガリウム又はシリコンカーバイドの結晶成長によって形成されることを特徴とする半導体膜形成方法。
画像

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thum_JPA 430147946_i_000002.jpg
出願権利状態 公開
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