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(In Japanese)ホスフィンオキシド化合物、希土類錯体及び発光材料

Patent code P200016643
File No. (S2017-0427-N0)
Posted date Feb 25, 2020
Application number P2019-501371
Date of filing Feb 21, 2018
International application number JP2018006179
International publication number WO2018155484
Date of international filing Feb 21, 2018
Date of international publication Aug 30, 2018
Priority data
  • P2017-035041 (Feb 27, 2017) JP
  • P2017-167844 (Aug 31, 2017) JP
Inventor
  • (In Japanese)長谷川 靖哉
  • (In Japanese)フェレイラ ダ ローサ ペドロ パウロ
  • (In Japanese)中西 貴之
  • (In Japanese)北川 裕一
  • (In Japanese)伏見 公志
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人北海道大学
Title (In Japanese)ホスフィンオキシド化合物、希土類錯体及び発光材料
Abstract (In Japanese)下記式(I):
【化1】
 
(省略)
で表され、nが3以上の整数を示し、Ar1がn価の芳香族基を示し、Lが2価のリンカー基を示し、Ar2及びAr3がそれぞれ独立に1価の芳香族基を示す、ホスフィンオキシド化合物、及び、これを含む希土類錯体が開示される。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

従来、緑色発光を示すテルビウム錯体等の希土類錯体が種々提案されている(例えば、特許文献1、2)。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、ホスフィンオキシド化合物、希土類錯体及び発光材料に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
下記式(I):
【化1】
 
(省略)
で表され、nが3以上の整数を示し、Ar1がn価の芳香族基を示し、Lが2価のリンカー基を示し、Ar2及びAr3がそれぞれ独立に1価の芳香族基を示す、ホスフィンオキシド化合物。

【請求項2】
 
Lが、-C≡C-、-CH=CH-、又は2価の芳香族基である、請求項1に記載のホスフィンオキシド化合物。

【請求項3】
 
請求項1又は2に記載のホスフィンオキシド化合物と、
前記ホスフィンオキシド化合物が配位している希土類イオンと、
を含む、希土類錯体。

【請求項4】
 
前記希土類イオンに配位し、下記式(II):
【化2】
 
(省略)
で表され、R1、R2及びR3がそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を示す、ジケトン配位子を更に含む、請求項3に記載の希土類錯体。

【請求項5】
 
R1及びR2がtert-ブチル基である、請求項4に記載の希土類錯体。

【請求項6】
 
前記希土類イオンがテルビウム(III)イオンである、請求項3~5のいずれか一項に記載の希土類錯体。

【請求項7】
 
請求項3~6のいずれか一項に記載の希土類錯体を含有する、発光材料。

【請求項8】
 
請求項7に記載の発光材料を成膜して発光層を形成する工程と、前記発光層を加熱処理して希土類錯体を配向させる工程と、を含む、発光層を製造する方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2019501371thum.jpg
State of application right Published
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