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磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法 新技術説明会

国内特許コード P200016742
整理番号 KP17-1022
掲載日 2020年4月7日
出願番号 特願2017-124316
公開番号 特開2019-009304
出願日 平成29年6月26日(2017.6.26)
公開日 平成31年1月17日(2019.1.17)
発明者
  • 酒井 雄樹
  • 東 正樹
  • 清水 啓佑
  • 川邊 諒
  • 北條 元
  • 重松 圭
  • 山本 孟
出願人
  • 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
発明の名称 磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法 新技術説明会
発明の概要 【課題】室温で強磁性および強誘電性を示し、電場印加により磁場反転可能な材料を用いた磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】磁気メモリ素子10は、ペロブスカイト構造を有し、擬立方表記で格子定数が3.90~3.97Åである基板11と、基板11上に配置された下部電極12と、下部電極12上に配置された、下記式(1)で表される化合物からなり、厚さが200nm~1000nmである薄膜13と、薄膜13上に配置された上部電極と、を含む。
BiFe1-x・・・(1)
[式(1)中、AはCoまたはMnであり、xは0.05≦x<0.25を満たす。]
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要

近年、強磁性、強誘電性、強弾性などの性質を複数有するマルチフェロイック物質の開発が進んでいる。かかるマルチフェロイック物質のうち、強誘電性と強磁性とを併せ持ち、かつ電場で磁化を制御できる物質は、電場による磁化の応答を利用した低消費電力磁気メモリ素子としての応用が期待されている。

従来、マルチフェロイック物質を利用した素子として、AFeO型オルソフェライトなどからなるマルチフェロイック素子が知られている(例えば特許文献1参照)。

産業上の利用分野

本発明は、磁気メモリ素子、および磁気メモリ素子の情報の書き込み及び読み取り方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
ペロブスカイト構造を有し、擬立方表記で格子定数が3.90~3.97Åである化合物からなる基板と、
前記基板上に配置された下部電極と、
前記下部電極上に配置された、下記式(1)で表される化合物からなり、厚さが200nm~1000nmである薄膜と、
前記薄膜上に配置された上部電極と、
を含むことを特徴とする磁気メモリ素子。
BiFe1-x・・・(1)
[式(1)中、AはCoまたはMnであり、xは0.05≦x<0.25を満たす。]

【請求項2】
前記基板が、110配向のGdScO基板、110配向のDyScO基板、110配向のSrTiO基板、111配向のSrTiO基板および001配向のSrTiOからなる群より選択される請求項1に記載の磁気メモリ素子。

【請求項3】
請求項1または2に記載の磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法であって、
前記磁気メモリ素子の下部電極と上部電極に電圧を印加し、前記薄膜の磁化を反転させて、情報を書き込む工程と、
前記薄膜の磁化の反転を検出して、書き込まれた情報を読み取る工程と、
を含むことを特徴とする磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2017124316thum.jpg
出願権利状態 公開
参考情報 (研究プロジェクト等) KISTEC 「次世代機能性酸化物材料」プロジェクト


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