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MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND METHOD OF WRITING AND READING INFORMATION OF MAGNETIC MEMORY ELEMENT meetings

Patent code P200016742
File No. KP17-1022
Posted date Apr 7, 2020
Application number P2017-124316
Publication number P2019-009304A
Date of filing Jun 26, 2017
Date of publication of application Jan 17, 2019
Inventor
  • (In Japanese)酒井 雄樹
  • (In Japanese)東 正樹
  • (In Japanese)清水 啓佑
  • (In Japanese)川邊 諒
  • (In Japanese)北條 元
  • (In Japanese)重松 圭
  • (In Japanese)山本 孟
Applicant
  • (In Japanese)地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
Title MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND METHOD OF WRITING AND READING INFORMATION OF MAGNETIC MEMORY ELEMENT meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic memory element using a material which exhibits ferromagnetism and ferroelectricity at room temperature and which can invert a magnetic field by application of an electric field.
SOLUTION: A magnetic memory element 10 has a Perovskite structure, and includes a substrate 11 having a lattice constant of 3.90 to 3.97 Å in pseudo cubic notation, a lower electrode 12 disposed on the substrate 11, a thin film 13 made of a compound represented by the following formula (1), disposed on the lower electrode 12, and having a thickness of 200 nm to 1000 nm, and an upper electrode disposed on the thin film 13. BiFe1-xAxO3 ... (1) [in formula (1), A is Co or Mn, and x satisfies 0.05≤x<0.25].
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

近年、強磁性、強誘電性、強弾性などの性質を複数有するマルチフェロイック物質の開発が進んでいる。かかるマルチフェロイック物質のうち、強誘電性と強磁性とを併せ持ち、かつ電場で磁化を制御できる物質は、電場による磁化の応答を利用した低消費電力磁気メモリ素子としての応用が期待されている。

従来、マルチフェロイック物質を利用した素子として、AFeO3型オルソフェライトなどからなるマルチフェロイック素子が知られている(例えば特許文献1参照)。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、磁気メモリ素子、および磁気メモリ素子の情報の書き込み及び読み取り方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
ペロブスカイト構造を有し、擬立方表記で格子定数が3.90~3.97Åである化合物からなる基板と、
前記基板上に配置された下部電極と、
前記下部電極上に配置された、下記式(1)で表される化合物からなり、厚さが200nm~1000nmである薄膜と、
前記薄膜上に配置された上部電極と、
を含むことを特徴とする磁気メモリ素子。
BiFe1-xAxO3・・・(1)
[式(1)中、AはCoまたはMnであり、xは0.05≦x<0.25を満たす。]

【請求項2】
 
前記基板が、110配向のGdScO3基板、110配向のDyScO3基板、110配向のSrTiO3基板、111配向のSrTiO3基板および001配向のSrTiO3からなる群より選択される請求項1に記載の磁気メモリ素子。

【請求項3】
 
請求項1または2に記載の磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法であって、
前記磁気メモリ素子の下部電極と上部電極に電圧を印加し、前記薄膜の磁化を反転させて、情報を書き込む工程と、
前記薄膜の磁化の反転を検出して、書き込まれた情報を読み取る工程と、
を含むことを特徴とする磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2017124316thum.jpg
State of application right Published
Reference ( R and D project ) KISTEC "Novel functional oxides project" Project


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