Top > Search of Japanese Patents > COMPLEX, PEROVSKITE LAYER, AND SOLAR CELL

COMPLEX, PEROVSKITE LAYER, AND SOLAR CELL

Patent code P200016779
File No. 5830
Posted date Apr 13, 2020
Application number P2017-179641
Publication number P2019-055916A
Date of filing Sep 20, 2017
Date of publication of application Apr 11, 2019
Inventor
  • (In Japanese)若宮 淳志
  • (In Japanese)香月 幸恵
  • (In Japanese)尾崎 雅司
  • (In Japanese)嶋崎 愛
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人京都大学
Title COMPLEX, PEROVSKITE LAYER, AND SOLAR CELL
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a method for producing perovskite layer in which a sufficient time till applying a poor solvent after applying a coating solution can be secured; a complex contained in the coating solution, a perovskite precursor, and a method for manufacturing solar cell.
SOLUTION: Provided is a complex comprising a compound represented by the formula (I), and 1,3-dimethyl-3,4,5,6-tetrahydro-2(1H)pyrimidinone, sulfolane, N,N-dimethylacetamide, tetramethylene sulfoxide or N,N-dimethyl acetamide. AMn1Xm1 --(I) (A is methyl ammonium cation (CH3NH3+), form-amidinium cation (NH2CHNH2+) or cesium cation (Cs+); M is Pb2+, Ge2+ or Sn2+; X is F-, Cl-, Br- or I-; n1 is 0.8 to 1.2; and m1 is 2.8 to 3.2.).
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

国際公開WO2017/104792号パンフレットには,ペロブスカイト構造を有する化合物とジメチルホルムアミド(DMF)分子からなる錯体の他,ペロブスカイト層及び太陽電池の製造方法が記載されている。この公報に記載された太陽電池の製造方法は,ロール・トゥ・ロールによる大量生産を考慮したものである。しかしながら,ペロブスカイト構造を有する化合物とDMFを含む溶液を塗布した後に,貧溶媒を滴下するまでの期間が1~5秒とされ,しかもできる限り短くする必要があるとされている(段落[0059])。このため,この公報に記載された方法では,ロール・トゥ・ロールにてペロブスカイト層を形成するためには,制約があった。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は,塗布液を塗布した後に,貧溶媒を塗布するまでの時間を十分に確保できるペロブスカイト層の製造方法や,その塗布液に含まれる錯体,ペロブスカイト前駆体,及び太陽電池の製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
式(I)で示される化合物と,
1,3-ジメチル-3,4,5,6-テトラヒドロ-2(1H)ピリミジノン,スルホラン,N,N-ジメチルアセトアミド,テトラメチレンスルホキシド又はN,N-ジメチルアセトアミドを含む錯体。
AMn1Xm1・・・(I)
(式(I)中,
Aは,メチルアンモニウムカチオン(CH3NH3),ホルムアミジニウムカチオン(NH2CHNH2)又はセシウムカチオン(Cs)であり,
Mは,Pb2,Ge2,又はSn2であり,
Xは,F,Cl,Br,又はIであり,
n1は,0.8~1.2であり,
m1は,2.8~3.2である。)

【請求項2】
 
請求項1に記載の錯体であって,
Aは,メチルアンモニウムカチオン(CH3NH3)又はホルムアミジニウムカチオン(NH2CHNH2)であり,
Mは,Pb2であり,
Xは,Br,又はIである錯体。

【請求項3】
 
請求項1又は2に記載の錯体を含むペロブスカイト前駆体。

【請求項4】
 
ペロブスカイト層の製造方法であって,
式(I)で示される化合物と,
1,3-ジメチル-3,4,5,6-テトラヒドロ-2(1H)ピリミジノン,スルホラン,テトラメチレンスルホキシド又はN,N-ジメチルアセトアミドを含む溶液を基板に塗布し塗布層を得る塗布工程と,
前記塗布工程の後に,前記塗布層に貧溶媒を添加する,貧溶媒添加工程と,
前記貧溶媒添加工程の後に,前記基板を加熱する加熱工程と,
を含み,
前記塗布工程の終わりから,前記貧溶媒添加工程までの時間が10秒以上5分以下である,
方法。

AMn1Xm1・・・(I)
(式(I)中,
Aは,メチルアンモニウムカチオン(CH3NH3),ホルムアミジニウムカチオン(NH2CHNH2)又はセシウムカチオン(Cs)であり,
Mは,Pb2,Ge2,又はSn2であり,
Xは,F,Cl,Br,又はIであり,
n1は,0.8~1.2であり,
m1は,2.8~3.2である。)

【請求項5】
 
請求項4に記載のペロブスカイト層の製造方法によりペロブスカイト層を得る工程を含む,太陽電池の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Published
Please contact us by e-mail or facsimile if you have any interests on this patent. Thanks.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close