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METHOD OF MANUFACTURING CRYSTAL FILM foreign

Patent code P200016874
File No. 5925
Posted date May 12, 2020
Application number P2018-154237
Publication number P2019-034883A
Date of filing Aug 20, 2018
Date of publication of application Mar 7, 2019
Priority data
  • P2017-158307 (Aug 21, 2017) JP
Inventor
  • (In Japanese)大島 祐一
  • (In Japanese)藤田 静雄
  • (In Japanese)金子 健太郎
  • (In Japanese)嘉数 誠
  • (In Japanese)河原 克明
  • (In Japanese)四戸 孝
  • (In Japanese)松田 時宜
  • (In Japanese)人羅 俊実
Applicant
  • (In Japanese)株式会社FLOSFIA
  • (In Japanese)国立研究開発法人物質・材料研究機構
  • (In Japanese)国立大学法人京都大学
  • (In Japanese)国立大学法人佐賀大学
Title METHOD OF MANUFACTURING CRYSTAL FILM foreign
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a crystal film by which a high quality crystal film is industrially advantageously provided.
SOLUTION: A method of manufacturing a crystal film includes gasifying metal source including metal to produce metal containing raw material gas, and then supplying the metal containing raw material gas and oxygen containing raw material gas onto a base plate of a reaction chamber to form a film. The base plate has a buffer layer on a surface thereof. Reactive gas is supplied onto the base plate, and the film formation is carried out under passing of the reactive gas. A high quality crystal film is thus formed. The formed crystal film is used in a semiconductor device or the like.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

高耐圧、低損失および高耐熱を実現できる次世代のスイッチング素子として、バンドギャップの大きな酸化ガリウム(Ga2O3)を用いた半導体装置が注目されており、インバータなどの電力用半導体装置への適用が期待されている。また、広いバンドギャップからLEDやセンサー等の受発光装置としての幅広い応用も期待されている。特に、酸化ガリウムの中でもコランダム構造を有するα―Ga2O3等は、非特許文献1によると、インジウムやアルミニウムをそれぞれ、あるいは組み合わせて混晶することによりバンドギャップ制御することが可能であり、InAlGaO系半導体として極めて魅力的な材料系統を構成している。ここでInAlGaO系半導体とはInXAlYGaZO3(0≦X≦2、0≦Y≦2、0≦Z≦2、X+Y+Z=1.5~2.5)を示し(特許文献9等)、酸化ガリウムを内包する同一材料系統として俯瞰することができる。

しかしながら、酸化ガリウムは、最安定相がβガリア構造であるので、特殊な成膜法を用いなければ、準安定相であるコランダム構造の結晶膜を成膜することが困難である。また、コランダム構造の結晶膜に限らず、成膜レートや結晶品質の向上、クラックや異常成長の抑制、ツイン抑制、反りによる基板の割れ等においてもまだまだ課題が数多く存在している。このような状況下、現在、コランダム構造を有する結晶性半導体の成膜について、いくつか検討がなされている。

特許文献1には、ガリウム又はインジウムの臭化物又はヨウ化物を用いて、ミストCVD法により、酸化物結晶薄膜を製造する方法が記載されている。特許文献2~4には、コランダム型結晶構造を有する下地基板上に、コランダム型結晶構造を有する半導体層と、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とが積層された多層構造体が記載されている。また、特許文献5~7のように、ELO基板やボイド形成を用いて、ミストCVDによる成膜も検討されている。しかしながら、いずれの方法も成膜レートにおいてまだまだ満足のいくものではなく、成膜レートに優れた成膜方法が待ち望まれていた。
特許文献8には、少なくとも、ガリウム原料と酸素原料とを用いて、HVPE法により、コランダム構造を有する酸化ガリウムを成膜することが記載されている。しかしながら、α―Ga2O3は準安定相であるので、β―Ga2O3のように成膜することが困難であり、工業的にはまだまだ多くの課題があった。
なお、特許文献1~8はいずれも本出願人らによる特許または特許出願に関する公報であり、現在も検討が進められている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、半導体装置の製造等に有用な結晶膜の製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給することにより金属酸化物の結晶膜を成膜する結晶膜の製造方法であって、前記基板が、表面にバッファ層を有しており、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの流通下で行うことを特徴とする結晶膜の製造方法。

【請求項2】
 
前記バッファ層がミストCVD法により形成されている請求項1記載の製造方法。

【請求項3】
 
前記バッファ層が、前記金属源の金属を含む請求項1または2に記載の製造方法。

【請求項4】
 
前記バッファ層が、前記結晶膜の結晶構造と同じ結晶構造を含む請求項1~3のいずれかに記載の製造方法。

【請求項5】
 
前記バッファ層および前記結晶膜の格子定数差が20%以内である請求項4記載の製造方法。

【請求項6】
 
前記反応性ガスがエッチングガスである請求項1~5のいずれかに記載の製造方法。

【請求項7】
 
前記反応性ガスがハロゲン化水素、ハロゲンおよび水素からなる群から選ばれる1種または2種以上を含む請求項1~6のいずれかに記載の製造方法。

【請求項8】
 
前記反応性ガスがハロゲン化水素を含む請求項1~7のいずれかに記載の製造方法。

【請求項9】
 
前記基板がPSS基板である請求項1~8のいずれかに記載の製造方法。

【請求項10】
 
前記基板が加熱されている請求項1~9のいずれかに記載の製造方法。

【請求項11】
 
成膜温度が400℃~700℃である請求項1~10のいずれかに記載の製造方法。

【請求項12】
 
前記金属源がガリウム源であり、前記金属含有原料ガスが、ガリウム含有原料ガスである請求項1~11のいずれかに記載の製造方法。

【請求項13】
 
前記のガス化を、金属源をハロゲン化することにより行う請求項1~12のいずれかに記載の製造方法。

【請求項14】
 
前記酸素含有原料ガスが、O2、H2OおよびN2Oからなる群から選ばれる1種または2種以上のガスである請求項1~13のいずれかに記載の製造方法。

【請求項15】
 
前記基板がコランダム構造を含み、前記結晶膜がコランダム構造を有する結晶成長膜である請求項1~14のいずれかに記載の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2018154237thum.jpg
State of application right Published
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