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培地用高分子ゲル、培地、細胞の培養方法及びキット 実績あり 外国出願あり

国内特許コード P200016895
整理番号 5345
掲載日 2020年5月14日
出願番号 特願2018-529902
出願日 平成29年7月25日(2017.7.25)
国際出願番号 JP2017026832
国際公開番号 WO2018021289
国際出願日 平成29年7月25日(2017.7.25)
国際公開日 平成30年2月1日(2018.2.1)
優先権データ
  • 特願2016-148725 (2016.7.28) JP
発明者
  • 原田 明
  • ▲高▼島 義徳
  • 中畑 雅樹
  • 田中 求
  • ホールニング マルセル
出願人
  • 国立大学法人大阪大学
  • 国立大学法人京都大学
発明の名称 培地用高分子ゲル、培地、細胞の培養方法及びキット 実績あり 外国出願あり
発明の概要 硬さを容易、かつ、可逆的に変化させることができ、しかも、その硬さに応じて細胞の形を制御させることを可能とする、培地用高分子ゲル及び培地、また、当該培地を使用した細胞の培養方法を提供する。
培地用高分子ゲルは、可逆的結合によって架橋された架橋構造体と溶媒とを含む。培地用高分子ゲルは、硬さを容易、かつ、可逆的に変化させることができる。ゆえに、本発明に係る培地用高分子ゲルによれば、その硬さに応じて細胞の形および機能を可逆的に制御させることが可能である。
従来技術、競合技術の概要

近年、再生医療等の分野の研究とその応用が急激に発展する中、所望の組織を簡便、かつ、安価に培養する技術の構築が急務となっている。そのため、様々な視点から、細胞培養、細胞の分化を制御する研究開発が盛んにおこなわれている。

再生医療の分野においては、幹細胞を培養するための培地の種類が、多能性細胞の分化に対して大きな影響をおよぼすことが知られている。例えば、最近の研究においては、培地の硬さを静的に制御して培養された幹細胞について、その培地の硬さに応じて分化に違いが生じることが報告されている(例えば、非特許文献1を参照)。このような報告例においては、培地としてアクリルアミド系の高分子ゲルが使用されており、この高分子ゲルの構造等を制御することで、培地の硬さが調節されている。上記の技術のように、細胞培養の培地の特性に着目して細胞の培養挙動を把握することは、再生医療・組織工学等の分野において極めて興味深い研究であるといえる。

産業上の利用分野

本発明は、培地用高分子ゲル、培地、細胞の培養方法及びキットに関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
可逆的結合によって架橋された架橋構造体と溶媒とを含む、培地用高分子ゲル。

【請求項2】
前記可逆的結合が、ホスト基とゲスト基との結合、疎水性相互作用、水素結合、イオン結合、配位結合、π電子相互作用及びこれら以外の分子間相互作用の群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1に記載の培地用高分子ゲル。

【請求項3】
前記可逆的結合が、ホスト基とゲスト基との結合である、請求項1又は2に記載の培地用高分子ゲル。

【請求項4】
前記架橋構造体は、
下記一般式(1a)
【化1】
(省略)
[式中、Raは水素原子またはメチル基を示す。Rはヒドロキシル基、チオール基、1個以上の置換基を有していてもよいアルコキシ基、1個以上の置換基を有していてもよいチオアルコキシ基、1個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、1個の置換基を有していてもよいアミノ基、1個以上の置換基を有していてもよいアミド基、アルデヒド基及びカルボキシル基からなる群より選択される1価の基から1個の水素原子を除去することにより形成される2価の基を示す。Rはホスト基を示す]
で表される繰り返し構成単位、
下記一般式(2a)
【化2】
(省略)
[式中、Raは前記式(1a)と同じである。水素原子またはメチル基、Rはヒドロキシル基、チオール基、1個以上の置換基を有していてもよいアルコキシ基、1個以上の置換基を有していてもよいチオアルコキシ基、1個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、1個の置換基を有していてもよいアミノ基、1個以上の置換基を有していてもよいアミド基、アルデヒド基及びカルボキシル基からなる群より選択される1価の基から1個の水素原子を除去することにより形成される2価の基を示す。Rはゲスト基を示す]
で表される繰り返し構成単位、及び、
下記一般式(3a)
【化3】
(省略)
[式中、Raは前記式(1a)と同じである。Rはハロゲン原子、ヒドロキシル基、チオール基、1個の置換基を有していてもよいアミノ基、1個の置換基を有していてもよいカルボキシル基又は1個以上の置換基を有していてもよいアミド基を示す]
で表される繰り返し構成単位
を有する重合体である、請求項1~3のいずれか1項に記載の培地用高分子ゲル。

【請求項5】
請求項1~4のいずれか1項に記載の培地用高分子ゲルを含む、培地。

【請求項6】
請求項5に記載の培地で細胞を培養する、細胞の培養方法。

【請求項7】
前記培地に前記可逆的結合の形成を阻害する性質を有する競争物質を添加する工程をさらに含む、請求項6に記載の細胞の培養方法。

【請求項8】
前記培地に添加された前記競争物質の濃度を増大又は減少させる、請求項7に記載の細胞の培養方法。

【請求項9】
前記培地に含まれる前記競争物質の濃度を10mol/L以下の範囲に調節する、請求項7又は8に記載の細胞の培養方法。

【請求項10】
請求項5に記載の培地を含む、キット。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 公開
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