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PRODUCTION METHOD OF PHOTONIC CRYSTAL

Patent code P020000065
Posted date May 27, 2003
Application number P1999-263750
Publication number P2001-091777A
Patent number P3376411
Date of filing Sep 17, 1999
Date of publication of application Apr 6, 2001
Date of registration Dec 6, 2002
Inventor
  • (In Japanese)長谷 正司
  • (In Japanese)江頭 満
  • (In Japanese)新谷 紀雄
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人物質・材料研究機構
Title PRODUCTION METHOD OF PHOTONIC CRYSTAL
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of producing a photonic crystal by which the photonic crystal can be easily mass-produced in a short time.
SOLUTION: In the method, a photonic crystal 5 is produced by using a casting die 2 having a plurality of cylindrical holes 1 formed with an interval of about the wavelength of light and casting a liquid polymer or a liquid polymer 4 having dispersion of particles.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


誘電率に光の波長程度の周期性を持つ構造体として、その誘電率や周期性に応じて特定の波長の光を遮断する性質をもつフォトニック結晶は、ガス検知システム、微小3次元光回路、非線型光学デバイス、高性能発光デバイスなどの材料として、幅広い分野への応用が期待されている。しかし、このようなフォトニック結晶の作製は、光の波長程度の周期性を持つ微細な構造とすることが必要であることから実際的に容易ではなく、実際にも非常に手間が掛かることから、フォトニック結晶の各種工業分野への応用が妨げられていた。このため、より実用的で、実際的にフォトニック結晶の大量生産が可能となるような作製方法の実現が望まれてきた。

Field of industrial application (In Japanese)


この出願の発明は、フォトニック結晶作製方法に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、短時間で容易に大量生産をも可能とする新しいフォトニック結晶の作製方法に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
光の波長程度の間隔で開けられた複数の円筒状の孔を持つ鋳型に対して結晶形成物質をキャスティングして、鋳型の前記孔に対応した複数の突起が形成された結晶体を作製する方法において、金属板にレーザー光を照射し、2次元の周期的な間隔で格子状に配列され、かつ間隔が光の波長程度である複数の円筒状の孔を開けることにより金属製の鋳型を作製し、この鋳型を用いて液状高分子あるいは粒子を分散させた液状高分子を注型硬化させてその後鋳型から脱離するか、あるいは注型硬化後に鋳型の金属を酸で溶解することにより、硬化した高分子を取り出すことを特徴とするフォトニック結晶の作製方法。

【請求項2】
 
請求項1記載のフォトニック結晶の作製方法であって、2次元周期的な間隔で格子状に配列され、かつ、格子の間隔が光の波長程度であり、さらに、間隔の2次元周期性の一部が欠けている複数の円筒状の孔を持つ鋳型に、液状高分子あるいは粒子を分散させた液状高分子を注型硬化させてその後鋳型から脱離するか、あるいは注型硬化後に鋳型の金属を酸で溶解することにより、硬化した高分子を取り出すことを特徴とするフォトニック結晶の作製方法。

【請求項3】
 
請求項1または2のフォトニック結晶の作製方法により作製されたフォトニック結晶を金属で被覆することを特徴とするフォトニック結晶の作製方法。

【請求項4】
 
請求項1ないし3のいずれかのフォトニック結晶の作製方法によって作製されたフォトニック結晶。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP1999263750thum.jpg
State of application right Registered
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