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炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法 (未公開特許出願) 新技術説明会

国内特許コード P200017194
整理番号 19T027
掲載日 2020年9月15日
出願番号 特願2019-140141
出願日 令和元年7月30日(2019.7.30)
発明者
  • 松下 雄一郎
出願人
  • 国立大学法人東京工業大学
発明の名称 炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法 (未公開特許出願) 新技術説明会
発明の概要 SiC MOSFETにおけるSiO2・SiC構造の界面欠陥準位の原因を解明し、その界欠陥面準位を減少させて、従来のSiC MOSFETと比べて移動度を向上させた炭化ケイ素半導体装置を提供する。
国際特許分類(IPC)
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