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超伝導複合量子計算回路 NEW

国内特許コード P200017223
整理番号 E128P04
掲載日 2020年9月30日
出願番号 特願2018-191287
公開番号 特開2020-061447
出願日 平成30年10月9日(2018.10.9)
公開日 令和2年4月16日(2020.4.16)
発明者
  • 中村 泰信
  • 田渕 豊
  • 玉手 修平
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 超伝導複合量子計算回路 NEW
発明の概要 【課題】量子ビット間の相互作用または漏話を抑制できること。
【解決手段】超伝導複合量子計算回路は、量子ビットと量子ビットの状態を観測する観測電極とを含む回路素子の配線パターンと、接地電位である接地パターンとが基板表面に形成され、基板表面のうちの第1面に形成される接地パターンと、第1面の裏面である第2面に形成される接地パターンとを基板内部において接続する貫通電極を備える回路基板と、回路基板の第1面に形成される接地パターンに接する第1接触部と、第1面に形成される配線パターンの形状に応じた形状の第1非接触部とを備える第1接地電極と、回路基板の第2面に形成される接地パターンに接する第2接触部を備える第2接地電極と、を備える。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要

量子計算機に関する技術の研究や開発が行われている。量子計算機に関する技術において、超伝導量子ビットを用いた量子計算機において2量子ビットゲート操作を行う方法が知られている(特許文献1、2参照)。

産業上の利用分野

本発明は、超伝導複合量子計算回路に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
量子ビットと前記量子ビットの状態を観測する観測電極とを含む回路素子の配線パターンと、接地電位である接地パターンとが基板表面に形成され、前記基板表面のうちの第1面に形成される前記接地パターンと、前記第1面の裏面である第2面に形成される前記接地パターンとを基板内部において接続する貫通電極を備える回路基板と、
前記回路基板の前記第1面に形成される前記接地パターンに接する第1接触部と、前記第1面に形成される前記配線パターンの形状に応じた形状の第1非接触部とを備える第1接地電極と、
前記回路基板の前記第2面に形成される前記接地パターンに接する第2接触部を備える第2接地電極と、
を備える超伝導複合量子計算回路。

【請求項2】
前記第1接地電極を前記回路基板の前記第1面に押し付ける、または、前記第2接地電極を前記回路基板の前記第2面に押し付ける付勢部材をさらに備え、
前記第1接地電極は、前記接地パターンの展延性よりも高い展延性を有する超伝導体によって形成される第1展延部を介して前記接地パターンに接し、
前記第2接地電極は、前記接地パターンの展延性よりも高い展延性を有する超伝導体によって形成される第2展延部を介して前記接地パターンに接する、
請求項1に記載の超伝導複合量子計算回路。

【請求項3】
前記量子ビットは、接地部と第1の結合容量を有する第1の電極と、接地部と前記第1の結合容量よりも大きい第2の結合容量を有し、前記第1の電極とジョセフソン接合により接続される第2の電極とを含む
請求項1または請求項2に記載の超伝導複合量子計算回路。

【請求項4】
前記回路基板は、前記第1面に形成される前記配線パターンに含まれる前記量子ビットの位置に応じた前記第2面の位置である量子ビット対応位置に、中心部電極と、当該中心部電極の周囲を囲む周囲電極と、当該中心部電極と当該周囲電極とを接続する接続電極とを備える
請求項3に記載の超伝導複合量子計算回路。

【請求項5】
前記第1面に形成される前記配線パターンに含まれる前記量子ビットの位置に対応する位置に前記第1接地電極が有する前記第1非接触部の内部、または、前記第1面に形成される前記配線パターンに含まれる前記量子ビットの位置に応じた前記第2面の位置である量子ビット対応位置に対応する位置に前記第2接地電極が有する第2非接触部の内部、に配置され、前記量子ビットに制御信号を供給する制御信号線
をさらに備える請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の超伝導複合量子計算回路。

【請求項6】
前記制御信号の周波数帯域がマイクロ波帯域である
請求項5に記載の超伝導複合量子計算回路。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2018191287thum.jpg
出願権利状態 公開
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO 中村巨視的量子機械プロジェクト 領域
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