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子宮内膜様組織及びその製造方法 UPDATE

国内特許コード P200017234
整理番号 2152
掲載日 2020年10月5日
出願番号 特願2019-028336
公開番号 特開2020-130055
出願日 平成31年2月20日(2019.2.20)
公開日 令和2年8月31日(2020.8.31)
発明者
  • 鈴木 崇
  • 藏本 吾郎
  • 清水 達也
  • 坂口 勝久
出願人
  • 学校法人東京女子医科大学
  • 学校法人早稲田大学
発明の名称 子宮内膜様組織及びその製造方法 UPDATE
発明の概要 【課題】本発明は、インビトロにおいて、受精卵移植に伴う子宮組織に起こる変化を観察可能とする子宮内膜様組織及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、細胞接着性ハイドロゲルを含む支持体と、前記支持体の上に形成された、子宮内膜間質細胞を含む第一細胞層と、前記第一細胞層の上に形成された、子宮内膜上皮細胞を含む第二細胞層と、を含む子宮内膜様組織を提供する。また、本発明は、(1)細胞接着性ハイドロゲルを含む支持体の上に、子宮内膜間質細胞を含む第一細胞層と、子宮内膜上皮細胞を含む第二細胞層とを形成する工程であって、ここで前記第二細胞層は、前記第一細胞層の上に形成される、工程;および、(2)前記工程(1)で得られる構築物を培養する工程、を含む、子宮内膜様組織を製造する方法を提供する。
【選択図】図8
従来技術、競合技術の概要

近年、女性の社会進出による晩婚化の影響で、さまざまな産科疾患を併発しやすい高齢妊娠が増加している。また、不妊症と診断される患者も増加しており、社会問題となっている。

不妊症の原因は女性因子と男性因子に分けられるが、女性因子においてはさらに、排卵因子、卵管因子、子宮因子、頸管因子、免疫学的因子などに分けられる。これらの不妊症に対する治療法として、様々な生殖補助医療(ART)や、それ以外の治療法が開発されているが、未だ十分な治療法とはいえない。

子宮因子による不妊症は、子宮内腔および子宮内膜の変化が原因であるといわれている。子宮内腔の癒着・変性を伴う疾患の治療法として、子宮組織の再生を目指した再生医療技術が開発されつつある。例えば、子宮内膜上皮細胞シート・子宮内膜間質細胞シートを作製し、それらを積層化してラットの子宮へ移植すると、子宮内膜が再生し、妊娠が成立することが報告されている(特許文献1)。

生殖補助医療においては、排卵誘発法や胚培養法が年々改善されており、胚移植率が向上してきたが、良好な受精卵を子宮へ移植しても一定の確率で着床しないなどの問題が未だに残っている。そのため、受精卵の着床率を向上するために、子宮内膜と胚との因果関係を明らかにすることが求められている。

子宮内膜と胚との因果関係を明らかにするために行われたこれまでのインビトロ研究は、単層の培養子宮内膜細胞などの薄い構造体を用いた研究であり(非特許文献1)、受精卵が浸潤する過程を観察可能なインビトロモデルは未だ開発されていない。

産業上の利用分野

本発明は、子宮内膜様組織及びその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
細胞接着性ハイドロゲルを含む支持体と、
前記支持体の上に形成された、子宮内膜間質細胞を含む第一細胞層と、
前記第一細胞層の上に形成された、子宮内膜上皮細胞を含む第二細胞層と
を含む、子宮内膜様組織。

【請求項2】
前記細胞接着性ハイドロゲルが、コラーゲンを含む、請求項1に記載の子宮内膜様組織。

【請求項3】
前記細胞接着性ハイドロゲルが、フィブリンを含む、請求項1または2に記載の子宮内膜様組織。

【請求項4】
前記第一細胞層が、2層以上形成されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の子宮内膜様組織。

【請求項5】
前記子宮内膜間質細胞が、初代子宮内膜間質細胞である、請求項1~4のいずれか1項に記載の子宮内膜様組織。

【請求項6】
前記子宮内膜上皮細胞が、初代子宮内膜上皮細胞である、請求項1~5のいずれか1項に記載の子宮内膜様組織。

【請求項7】
前記第二細胞層の上に受精卵が適用されている、請求項1~6のいずれか1項に記載の子宮内膜様組織。

【請求項8】
子宮内膜様組織を製造する方法であって、以下:
(1)細胞接着性ハイドロゲルを含む支持体の上に、子宮内膜間質細胞を含む第一細胞層と、子宮内膜上皮細胞を含む第二細胞層とを形成する工程であって、ここで前記第二細胞層は、前記第一細胞層の上に形成される、工程;および
(2)前記工程(1)で得られる構築物を培養する工程、
を含む、方法。

【請求項9】
前記細胞接着性ハイドロゲルが、コラーゲンを含む、請求項8に記載の方法。

【請求項10】
前記細胞接着性ハイドロゲルが、フィブリンを含む、請求項8または9に記載の方法。

【請求項11】
前記第一細胞層が、2層以上形成されている、請求項8~10のいずれか1項に記載の方法。

【請求項12】
前記工程(1)が、
前記第一細胞層の上に前記第二細胞層を形成した積層体を、前記支持体の上にのせる工程である、請求項8~11のいずれか1項に記載の方法。

【請求項13】
前記第一細胞層および前記第二細胞層が、刺激応答性培養基材を用いることにより得られる、請求項8~12のいずれか1項に記載の方法。

【請求項14】
前記刺激応答性培養基材が、温度応答性培養基材である、請求項13に記載の方法。

【請求項15】
前記子宮内膜間質細胞が、初代子宮内膜間質細胞である、請求項8~14のいずれか1項に記載の方法。

【請求項16】
前記子宮内膜上皮細胞が、初代子宮内膜上皮細胞である、請求項8~15のいずれか1項に記載の方法。

【請求項17】
(3)前記第二細胞層の上に受精卵を適用する工程、をさらに含む、請求項8~16のいずれか1項に記載の方法。

【請求項18】
請求項8~17のいずれか1項に記載の方法により得られる子宮内膜様組織。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2019028336thum.jpg
出願権利状態 公開
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