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METHOD OF MANUFACTURING AlN POLARIZATION-INVERTED STRUCTURE UPDATE_EN

Patent code P210017437
File No. H30053
Posted date Mar 2, 2021
Application number P2019-101995
Publication number P2020-197562A
Date of filing May 31, 2019
Date of publication of application Dec 10, 2020
Inventor
  • (In Japanese)岡田 成仁
  • (In Japanese)只友 一行
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人山口大学
Title METHOD OF MANUFACTURING AlN POLARIZATION-INVERTED STRUCTURE UPDATE_EN
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an AlN polarization-inverted structure with high yield.
SOLUTION: A method of manufacturing an AlN polarization-inverted structure involves exposing a surface of a first AlN layer 11 polarized in a thickness direction to an atmosphere with an Al source gas and an N source gas circulating therein to grow AlN crystals on the first AlN layer 11, thereby forming a second AlN layer 12 having polarization that is inverse of that of the first AlN layer 11.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

高出力レーザの開発において、既存のレーザに非線形光学結晶を組み合わせて第二次高調波発生(SHG)を利用することが検討されている。ここで、非線形光学材料としては、例えば分極反転構造を含むAlN結晶が挙げられる。そして、非特許文献1には、その製造方法として、c面サファイア基板上にスパッタリングによりAlNを成膜したものを2個作製し、それらをAlN同士が当接するように重ねてアニーリングすることにより接合するFFA法(Face-to-Face Annealing)が開示されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、AlN分極反転構造の製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
厚さ方向に分極した第1AlN層の表面を、Al源ガス及びN源ガスが流通する雰囲気に曝し、前記第1AlN層上にAlNを結晶成長させて前記第1AlN層とは分極が反転した第2AlN層を形成するAlN分極反転構造の製造方法。

【請求項2】
 
請求項1に記載されたAlN分極反転構造の製造方法において、
前記Al源ガスによるAl原子の供給モル数に対する前記N源ガスによるN原子の供給モル数の比であるV/III比を1以上20以下とするAlN分極反転構造の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2019101995thum.jpg
State of application right Published
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