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(In Japanese)半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス meetings

Patent code P210017449
File No. (2019-001,S2019-0555-N0)
Posted date Mar 12, 2021
Application number P2020-014220
Publication number P2021-013007A
Date of filing Jan 30, 2020
Date of publication of application Feb 4, 2021
Priority data
  • P2019-125039 (Jul 4, 2019) JP
Inventor
  • (In Japanese)梁 剣波
  • (In Japanese)重川 直輝
Applicant
  • (In Japanese)公立大学法人大阪
Title (In Japanese)半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス meetings
Abstract (In Japanese)
【課題】
 簡易な構成により放熱性能を向上させた半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
 本発明の一側面に係る半導体デバイスの製造方法は、互いに対向する第1面及び第2面を有するガリウム系半導体を用意するステップと、互いに対向する第1面及び第2面を有するダイヤモンド基板を用意するステップと、前記ガリウム系半導体の第2面及び前記ダイヤモンド基板の第1面を表面活性化接合法により接合するステップと、を備える。
【選択図】
 図2
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

一般的に、室温で高い電子濃度を有するn型ダイヤモンド半導体と、高い正孔濃度を有する窒化物半導体(InGaN、GaN、AlN等)又は酸化ガリウム半導体(Ga2O3)との接合が困難であることは知られている。つまり、ダイヤモンドの結晶構造と窒化物半導体、又は酸化ガリウム半導体との結晶構造は互いに異なっているため、p型ダイヤモンド半導体/n型窒化物半導体、又はp型ダイヤモンド半導体/n型酸化ガリウム半導体のヘテロ接合が結晶成長によって作製することが非常に困難である。

非特許文献1には、窒化アルミニウム(AlN)により構成された窒化物半導体(0001)面の原子配列と類似するダイヤモンド(111)面を利用し、ダイヤモンド上に単結晶窒化アルミニウムを結晶成長させることが提案されている。これにより、n型窒化アルミニウムとp型ダイヤモンドとのヘテロ接合を形成することができる。また、非特許文献2には、ダイヤモンド上に生成された窒化アルミニウム層をバッファ層とし、この窒化アルミニウム層上に、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)又は窒化ガリウム(GaN)を備えるパワーデバイスを作製することが提案されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスに関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
互いに対向する第1面及び第2面を有するガリウム系半導体を用意するステップと、
互いに対向する第1面及び第2面を有するダイヤモンド基板を用意するステップと、
前記ガリウム系半導体の第2面及び前記ダイヤモンド基板の第1面を表面活性化接合法により接合するステップと、
を備える、
半導体デバイスの製造方法。

【請求項2】
 
前記ガリウム系半導体の第1面及び前記ダイヤモンド基板の第2面それぞれに電極を形成するステップを更に備え、
前記ガリウム系半導体は、n型にドーピングされており、
前記ダイヤモンド基板は、p型にドーピングされている、
請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項3】
 
表面活性化接合法により、前記ダイヤモンド基板の第2面にヒートシンクを接合するステップを更に備える、
請求項1に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項4】
 
前記ヒートシンクは、アルミニウム又は銅により形成されている、
請求項3に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項5】
 
前記ガリウム系半導体は、窒化アルミニウムガリウム、窒化ガリウム、又は酸化ガリウムにより構成される、
請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項6】
 
前記ガリウム系半導体を用意するステップは、
シリコン、サファイア、炭化ケイ素、又は窒化ガリウムにより構成された基板を用意するステップ、及び
用意された前記基板上に前記ガリウム系半導体を結晶成長により生成するステップ、
を備え、
前記半導体デバイスの製造方法は、前記ガリウム系半導体の第2面及び前記ダイヤモンド基板の第1面を接合した後に、前記基板を除去するステップを更に備える、
請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項7】
 
前記ダイヤモンド基板は、単結晶ダイヤモンドにより形成されている、
請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。

【請求項8】
 
互いに対向する第1面及び第2面を有するダイヤモンド基板と、
互いに対向する第1面及び第2面を有するガリウム系半導体であって、当該ガリウム系半導体の第2面が前記ダイヤモンド基板の第1面に直接的に接合した、ガリウム系半導体と、
を備える、
半導体デバイス。

【請求項9】
 
前記ガリウム系半導体の第1面上に形成された第1電極と、
前記ダイヤモンド基板の第2面上に形成された第2電極と、
を更に備え、
前記ガリウム系半導体は、n型にドーピングされており、
前記ダイヤモンド基板は、p型にドーピングされている、
請求項8に記載の半導体デバイス。

【請求項10】
 
前記ダイヤモンド基板の第2面に直接的に接合したヒートシンクを更に備える、
請求項8に記載の半導体デバイス。

【請求項11】
 
前記ガリウム系半導体は、窒化アルミニウムガリウム、窒化ガリウム、又は酸化ガリウムにより構成される、
請求項8から10のいずれか1項に記載の半導体デバイス。

【請求項12】
 
前記ダイヤモンド基板は、単結晶ダイヤモンドにより形成されている、
請求項8から11のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2020014220thum.jpg
State of application right Published


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