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細胞を配向させる細胞培養基材、及びその製造方法 UPDATE

国内特許コード P210017949
整理番号 2228
掲載日 2021年11月1日
出願番号 特願2020-025572
公開番号 特開2021-129501
出願日 令和2年2月18日(2020.2.18)
公開日 令和3年9月9日(2021.9.9)
発明者
  • 清水 達也
  • 菊地 鉄太郎
  • 梅津 信二郎
  • 山中 文登
出願人
  • 学校法人東京女子医科大学
  • 学校法人早稲田大学
発明の名称 細胞を配向させる細胞培養基材、及びその製造方法 UPDATE
発明の概要 【課題】細胞を配向させることができる新たな細胞培養基材を提供することを目的とする。また、細胞を配向させることができる新たな細胞培養基材を安価かつ簡便に製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】細胞を配向させる細胞培養基材であって、前記細胞培養基材の培養表面の一部は、ストライプ状の加工溝を備え、ここで隣接する前記加工溝の間隔が、平均100~1500μmであり、前記加工溝の加工溝幅が、平均100~500μmである、細胞培養基材を提供する。また、その製造方法を提供する。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要

近年、培養細胞を加工する技術が開発されており、三次元化した培養細胞組織を再構築できるようになってきた。しかしながら、それらは生体の組織を完全に模倣した三次元培養組織であるとはいいがたく、未だ様々な課題が残されている。

培養細胞から機能的な組織を再構築するためには、生体組織と同様に異方性・配向性を細胞に付与する必要がある。これらの課題を解決するために、培養表面を様々なパターンで修飾又は微細加工した培養容器が開発されている(特許文献1~3)。これらの培養容器を製造するためには、パターンを形成するための型(モールド)やマスク等が必要であり、製造工程が複雑な上、パターンを変更することが容易ではなかった。また、培養表面の加工による異方性・配向性を付与するためには、一般的に細胞の種類に対応してパターンを最適化する必要があった。このようなパターン変更の難しさや培養容器の製造工程の複雑さが、これらの培養容器を用いた手法の普及を妨げていた。

産業上の利用分野

本発明は、細胞を配向させる細胞培養基材、及びその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
細胞を配向させる細胞培養基材であって、
前記細胞培養基材の培養表面の一部は、ストライプ状の加工溝を備え、
ここで隣接する前記加工溝の間隔が、平均100~1500μmであり、
前記加工溝の加工溝幅が、平均100~500μmである、
細胞培養基材。

【請求項2】
前記加工溝の加工溝幅が、平均100~200μmである、請求項1に記載の細胞培養基材。

【請求項3】
隣接する前記加工溝の間隔が、平均100~500μmである、請求項1又は2に記載の細胞培養基材。

【請求項4】
前記加工溝の深さが、平均10~180μmである、請求項1~3のいずれか1項に記載の細胞培養基材。

【請求項5】
前記加工溝の深さが、平均10~40μmである、請求項4に記載の細胞培養基材。

【請求項6】
前記細胞培養基材は、刺激応答性高分子が被覆されている、請求項1~5のいずれか1項に記載の細胞培養基材。

【請求項7】
前記刺激応答性高分子が温度応答性高分子である、請求項6に記載の細胞培養基材。

【請求項8】
前記細胞培養基材の材質がポリスチレンである、請求項1~7のいずれか1項に記載の細胞培養基材。

【請求項9】
細胞を配向させる細胞培養基材の製造方法であって、
前記細胞培養基材の培養表面の一部に、ストライプ状の加工溝を形成する工程
を含み、
ここで隣接する前記加工溝の間隔が、平均100~1500μmであり、
前記加工溝の加工溝幅が、平均100~500μmである、
製造方法。

【請求項10】
前記加工溝の加工溝幅が、平均100~200μmである、請求項9に記載の製造方法。

【請求項11】
隣接する前記加工溝の間隔が、平均100~500μmである、請求項9又は10に記載の製造方法。

【請求項12】
前記加工溝の深さが、平均10~180μmである、請求項9~11のいずれか1項に記載の製造方法。

【請求項13】
前記加工溝の深さが、平均10~40μmである、請求項12に記載の製造方法。

【請求項14】
前記細胞培養基材は、刺激応答性高分子が被覆されている、請求項9~13のいずれか1項に記載の製造方法。

【請求項15】
前記刺激応答性高分子が温度応答性高分子である、請求項14に記載の製造方法。

【請求項16】
材質がポリスチレンである、請求項9~15のいずれか1項に記載の製造方法。

【請求項17】
0.5W~2.0Wの出力の連続波レーザーを用いて前記加工溝を形成する、請求項9~16のいずれか1項に記載の製造方法。

【請求項18】
1cm/秒~50cm/秒のスキャン速度で前記加工溝を形成する、請求項17に記載の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2020025572thum.jpg
出願権利状態 公開
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