Top > Search of Japanese Patents > METHOD FOR MEASURING LEVEL IN FORBIDDEN BAND BY TWO- WAVELENGTH EXCITATION PHOTO-LUMINESCENCE AND DEVICE THEREFOR

METHOD FOR MEASURING LEVEL IN FORBIDDEN BAND BY TWO- WAVELENGTH EXCITATION PHOTO-LUMINESCENCE AND DEVICE THEREFOR commons

Patent code P03A000389
File No. Y00-P435
Posted date Aug 28, 2003
Application number P2001-091521
Publication number P2002-286640A
Patent number P3862964
Date of filing Mar 28, 2001
Date of publication of application Oct 3, 2002
Date of registration Oct 6, 2006
Inventor
  • (In Japanese)鎌田 憲彦
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title METHOD FOR MEASURING LEVEL IN FORBIDDEN BAND BY TWO- WAVELENGTH EXCITATION PHOTO-LUMINESCENCE AND DEVICE THEREFOR commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for measuring a level in a forbidden band by two-wavelength excitation photo-luminescence capable of simply and accurately determining a non-radiative recombination parameter.
SOLUTION: This device for measuring the level in the forbidden band by two-wavelength excitation photo-luminescence is provided with a means for performing pulse irradiation with exciting light equal to a forbidden-band energy width or more or exciting light equal to the forbidden band energy width or less, a means for obtaining the time constant of time-resolved response based on the pule irradiation, and a means for measuring the parameter for determining the level of non-radiative recombination on the basis of the time constant.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


従来、このような分野の技術としては、以下に開示されるものがあった。
〔1〕K.Hoshino et al.,J.Lumin.79(1998)39.,Jpn.J.Appl.Phys.37(1998)3210.
〔2〕Proc.Int.Workshop on Nitride Semicond.,IPAP Conf.Series1 pp.544-547,2000.
半導体等の発光材料や発光デバイス試料に禁制帯エネルギー幅以上の励起(Above-Gap Excitation,AGE)光を照射すると、試料固有の発光(フォトルミネッセンス、PL)を生じる。このPL強度IA は、発光再結合率と禁制帯内準位を介した非発光再結合率との競合の結果定まっている。



次に、この状態で禁制帯エネルギー幅以下の励起(Below-Gap Excitation,BGE)光を同時照射すると、このBGE光のエネルギーが禁制帯内準位の一つと一致する場合、その準位のみが選択的に励起されることによって、試料内の非発光再結合率が変化し、そのため先の発光再結合率、非発光再結合率のバランスがずれてPL強度もIA からIA+B に変化する。従来はこの相対PL強度IA+B /IA 及びそのAGE強度依存性、BGE強度依存性の測定結果から、禁制帯内準位の非発光再結合パラメータを導出するようにしていた。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、発光材料、発光デバイスの発光効率改善のために不可欠な、非発光再結合準位の定量測定方法及びその装置に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
  禁制帯エネルギー幅以上の励起光、禁制帯エネルギー幅以下の励起光を用いる2波長励起フォトルミネッセンスにおいて、前記禁制帯エネルギー幅以上の励起光または禁制帯エネルギー幅以下の励起光を試料にパルス照射し、前記試料固有の発光強度の時間依存性から、禁制帯内の非発光再結合準位の再結合パラメータを導出することを特徴とする2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法。
【請求項2】
 (a)禁制帯エネルギー幅以上の励起光または禁制帯エネルギー幅以下の励起光をパルス照射する手段と、
(b)該パルス照射に基づいた時分解応答の時定数を求める手段と、
(c)該時定数に基づき非発光再結合準位を定めるパラメータを測定する手段とを具備することを特徴とする2波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2001091521thum.jpg
State of application right Registered
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close