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FILMING METHOD FOR AMORPHOUS SILICON MEMBRANE

Patent code P03A000402
File No. U2000P212
Posted date Aug 28, 2003
Application number P2001-105872
Publication number P2002-299266A
Patent number P3507889
Date of filing Apr 4, 2001
Date of publication of application Oct 11, 2002
Date of registration Jan 9, 2004
Inventor
  • (In Japanese)渡辺 征夫
  • (In Japanese)白谷 正治
  • (In Japanese)古閑 一憲
Applicant
  • (In Japanese)九州大学長
Title FILMING METHOD FOR AMORPHOUS SILICON MEMBRANE
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a filming method for an amorphous silicon membrane having satisfactory film quality by markedly reducing a cluster quantity in silane-discharging plasma.
SOLUTION: When filming the amorphous silicon membrane on a member to be filmed held by a first electrode while using a filming device provided with a vacuum container, the first electrode located inside the vacuum container for holding the member to be filmed, a second electrode located inside the vacuum container while facing the first electrode and having a plurality of gas exhausting parts on the surface facing the first electrode, gas exhaust holes formed on the side wall of the vacuum container, a high frequency power source connected to the second electrode and a raw material gas feeding means, the first electrode is heated to a high temperature of 240 to 260°C and the second electrode is maintained at a temperature lower than the first electrode.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


例えば、太陽電池の光電変換素子に用いられるアモルファスシリコン薄膜は、従来、次のような方法により成膜されている。すなわち、真空容器内に一対の平板電極を平行に配置し、この平板電極の一方に基板のような被成膜部材を保持させ、前記真空容器内にシランガスを供給して所望の真空度にした後、前記基板が保持された平板電極と対向する平板電極に高周波電力を印加して容量結合型高周波放電プラズマを生成し、前記基板表面にアモルファスシリコン薄膜を成膜する。このときの放電は、生成されるプラズマ中に微粒子が可能な限り少なくなる条件でなされている。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、アモルファスシリコン薄膜の成膜方法に関し、特に太陽電池、液晶表示装置の薄膜トランジスタ等に適用されるアモルファスシリコン薄膜の成膜方法に係る。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
真空容器と、この真空容器内に配置され、被成膜部材を保持する第1電極と、前記真空容器内に前記第1電極と対向して配置され、その第1電極との対抗面に複数のガス排気部を有する第2電極と、前記真空容器の側壁に形成されたガス排気穴と、前記第2電極に接続された高周波電源と、原料ガス供給手段とを具備した成膜装置を用いて前記第1電極に保持された被成膜部材にアモルファスシリコン薄膜を成膜するにあたり、
前記第1電極に被成膜部材を保持する工程と、
前記第1電極を240~260℃の高温に加熱し、前記第2電極をこの第1電極より低い温度に維持する工程と、
前記真空容器内にシランガスを前記原料ガス供給手段により供給し、前記第2電極のガス排気部および前記真空容器のガス排気穴を通して前記真空容器内のガスを排気すると共に、前記高周波電源から高周波電力を前記第2電極に印加して前記第1、第2の電極間にシランガス放電プラズマを発生させることにより前記被成膜部材にアモルファスシリコン薄膜を成膜する工程とを具備したことを特徴とするアモルファスシリコン薄膜の成膜方法。

【請求項2】
 
前記第2電極は、前記第1電極の温度に対して150℃以上の温度差を持つ低い温度に設定されることを特徴とする請求項1記載のアモルファスシリコン薄膜の成膜方法。

【請求項3】
 
前記原料ガス供給手段は、前記真空容器内に前記第1電極に対して同心円状に配置され、前記第2電極に向けてガス噴出口が複数開口された環状原料ガス供給部材を有し、前記シランガスを前記環状原料ガス供給部材を通して前記真空容器内に供給されることを特徴とする請求項1または2記載のアモルファスシリコン薄膜の成膜方法。

【請求項4】
 
前記シランガスは、前記真空容器内に5~30sccmの流量で供給されることを特徴とする請求項1ないし3いずれか記載のアモルファスシリコン薄膜の成膜方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2001105872thum.jpg
State of application right Registered
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