Top > Search of Japanese Patents > METHOD FOR PRODUCING SPHERICAL SINGLE CRYSTAL SILICON

METHOD FOR PRODUCING SPHERICAL SINGLE CRYSTAL SILICON

Patent code P03A000431
File No. KI000061
Posted date Aug 28, 2003
Application number P2001-156689
Publication number P2002-348194A
Patent number P3607218
Date of filing May 25, 2001
Date of publication of application Dec 4, 2002
Date of registration Oct 15, 2004
Inventor
  • (In Japanese)栗林 一彦
  • (In Japanese)青山 智胤
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
Title METHOD FOR PRODUCING SPHERICAL SINGLE CRYSTAL SILICON
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To produce a high quality spherical single crystal silicon from silicon drops by properly controlling supercooling degree ΔT.
SOLUTION: In generating solidified nuclei from supercooled silicon drops to produce the spherical single crystal silicon, the critical supercooling degree ΔTCR are set according to the diameter d of the silicon drops such that the critical supercooling degree ΔTCR and the diameter d of the silicon drops satisfy (d=5 mm, ΔTCR=100 K), (d=3 mm, ΔTCR=120 K), (d=1 mm, ΔTCR=150 K). Crystals growing from the silicon drops maintained at a supercooling degree ΔT not higher than the critical supercooling degree ΔTCR become high quality spherical single crystal silicon with less cracks and twin crystals.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


半導体装置の開発,普及に伴って、代表的な半導体材料であるシリコンウェーハの需要も伸びる一方である。シリコンウェーハから半導体デバイスを作製する際の生産効率を考慮すると大口径のウェーハほど望ましく、口径300mmのシリコンウェーハが提供され始めており、口径400mmのシリコンウェーハも一部で検討されている。しかし、大口径化に伴う設備費用の負担が極端に大きくなり、費用対効果の面からウェーハの大口径化が疑問視されることもある。



そこで、大口径化とは逆の発想として、直径1mm程度の球状単結晶シリコンの表面に形成した集積回路を、低価格次世代ICとしてマイクロマシン等に応用する検討がされ始めている。球状単結晶シリコンは、高周波プラズマ法,回転ディスク法,ガスアトマイズ法,水アトマイズ法,アルゴンアーク回転電極法,プラズマアーク回転電極法等で作製される。たとえば、特開平11-12091号公報では、酸化膜で覆われた球状多結晶シリコンを部分的に加熱溶融し、溶融部分を移動させながら再結晶化することによって球状単結晶シリコンを製造している。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、半導体デバイス等の作製に有用な球状単結晶シリコンを製造する方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
過冷したシリコン液滴から凝固核を生成させて球状単結晶シリコンを作製する際、シリコン液滴の臨界過冷度ΔTcr及び直径dが(d=5mm,ΔTcr=100K),(d=3mm,ΔTcr=120K),(d=1mm,ΔTcr=150K)を満足するように、シリコン液滴の直径dに応じて設定された臨界過冷度ΔTcr以下にシリコン液滴を過冷することを特徴とする球状単結晶シリコンの製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2001156689thum.jpg
State of application right Registered
(In Japanese)上記の特許・技術に関心のある方は、下記問い合わせ先にご相談下さい。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close